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FGAF40N60UFDTU 发布时间 时间:2023/12/19 17:24:53 查看 阅读:159

产品种类: IGBT 晶体管

目录

概述

制造商: Fairchild Semiconductor
产品种类: IGBT 晶体管
封装 / 箱体: TO-3PF
集电极—发射极最大电压 VCEO: 600 V
集电极—射极击穿电压: 600 V
集电极—射极饱和电压: 3.1 V
栅极/发射极最大电压: 20 V
集电极最大连续电流 Ic: 40 A
栅极—射极漏泄电流: +/- 100 nA
功率耗散: 100 W
封装: Tube
配置: Single
安装风格: Through Hole
Part # Aliases: FGAF40N60UFDTUNL

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FGAF40N60UFDTU参数

  • 产品培训模块High Voltage Switches for Power Processing
  • 标准包装30
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭IGBT - 单路
  • 系列-
  • IGBT 类型-
  • 电压 - 集电极发射极击穿(最大)600V
  • Vge, Ic时的最大Vce(开)3V @ 15V,20A
  • 电流 - 集电极 (Ic)(最大)40A
  • 功率 - 最大100W
  • 输入类型标准型
  • 安装类型通孔
  • 封装/外壳SC-94
  • 供应商设备封装TO-3PF
  • 包装管件