产品种类: IGBT 晶体管
制造商: Fairchild Semiconductor
产品种类: IGBT 晶体管
封装 / 箱体: TO-3PF
集电极—发射极最大电压 VCEO: 600 V
集电极—射极击穿电压: 600 V
集电极—射极饱和电压: 3.1 V
栅极/发射极最大电压: 20 V
集电极最大连续电流 Ic: 40 A
栅极—射极漏泄电流: +/- 100 nA
功率耗散: 100 W
封装: Tube
配置: Single
安装风格: Through Hole
Part # Aliases: FGAF40N60UFDTUNL