类型：射频功率晶体管（BJT）
　　封装形式：金属封装（TO-3）
　　最大集电极-发射极电压（VCEO）：125 V
　　最大集电极电流（IC）：1.5 A
　　最大功耗（PD）：250 W
　　频率范围：DC 至 500 MHz
　　增益（hFE）：约25（典型值）
　　输出功率：在225 MHz下可达100 W
　　工作温度范围：-65°C 至 +150°C

MRF752以其高功率处理能力和良好的线性性能著称，适用于需要高输出功率和高效率的射频放大器设计。其金属封装不仅提供了良好的散热性能，还增强了器件的机械强度和耐用性。
　　这款晶体管的工作电压可达125 V，集电极电流最大为1.5 A，能够在高电压和高电流条件下稳定运行。最大功耗为250 W，确保其在高功率应用中具备足够的耐久性。
　　在射频性能方面，MRF752的频率范围可覆盖从DC到500 MHz，适用于多种射频放大场景。在225 MHz的频率下，其输出功率可达100 W，表现出优异的射频放大能力。此外，该晶体管的增益（hFE）约为25，能够在保持高线性度的同时提供良好的信号放大效果。
　　MRF752还具有良好的热稳定性，能够在高温环境下正常工作，其工作温度范围为-65°C至+150°C，适应各种严苛的应用环境。这使其成为高可靠性系统设计中的理想选择，如广播发射机、工业射频加热系统和通信基础设施设备。

MRF752广泛应用于射频功率放大器的设计中，尤其适合用于AM、FM和电视广播发射机的末级功率放大电路。此外，它也被广泛用于工业和科学领域的射频加热系统，如塑料热合机、等离子体发生器和超声波清洗设备等。
　　在通信系统中，MRF752可用于短波通信、HF/VHF/UHF频段的发射设备，适用于军事通信、民用广播和业余无线电等应用场景。其高功率和高可靠性的特点也使其成为测试设备和实验室仪器中常用的射频功率放大器件。
　　由于其良好的线性度和稳定性，MRF752还被用于各种需要高保真信号放大的应用，如专业音频放大器和射频模拟信号处理系统。

MRF752的替代型号包括MRF751、MRF7522、BLF177和RD16HHF1等。这些器件在性能和应用上与MRF752相似，可根据具体需求进行选择替换。