电容值：4700pF (4.7nF)
　　容差：±20%
　　额定电压：16V DC
　　温度特性：X7R（-55°C 至 +125°C）
　　封装尺寸：0805（EIA）/ 2012（公制）
　　介质材料：陶瓷（X7R）
　　工作温度范围：-55°C 至 +125°C
　　直流偏压特性：随电压增加电容值略有下降
　　绝缘电阻：≥1000MΩ 或 R*C ≥ 100S（取较大值）
　　耐湿性：满足IEC 61000-4-2、J-STD-020等标准
　　老化率：≤2.5%每十年（典型值）
　　结构类型：多层片式陶瓷电容器（MLCC）
　　端接类型：镍阻挡层/锡覆盖（Ni-Sn）
　　无铅：是
　　符合RoHS：是

UVY1C472MHD具备优异的温度稳定性，其X7R介电材料确保在-55°C到+125°C的宽温度范围内，电容值的变化不超过±15%，这使其能够在各种严苛环境条件下保持可靠的电气性能。这一特性使得该电容器非常适合用于工业控制设备、汽车电子系统以及户外通信装置等对温度波动敏感的应用场合。
　　该器件具有良好的直流偏压特性。尽管所有X7R电容器都会在施加接近额定电压的直流偏置时出现电容值下降的现象，但UVY1C472MHD通过优化内部电极结构和介质层厚度，在同类产品中表现出相对较小的电容衰减。例如，在施加16V DC偏压时，其实际电容值仍可维持在初始值的70%-80%左右，这对于电源去耦和滤波应用至关重要，能有效保障电路稳定性。
　　机械强度和抗热冲击性能出色。其0805封装结构经过强化设计，能够承受回流焊过程中的高温循环（符合J-STD-020标准），同时具备较强的抗弯曲和振动能力，降低了因PCB形变导致的裂纹风险。此外，该电容器采用三层端子电极结构（Inner Electrode / Barrier Layer / Outer Electrode），其中镍阻挡层有效防止了外部焊料对内部银电极的侵蚀，提高了长期可靠性。
　　电气噪声低，自谐振频率较高。由于其小尺寸和多层结构，UVY1C472MHD在高频下仍能保持较低的等效串联电阻（ESR）和等效串联电感（ESL），使其在几十MHz至数百MHz频段内仍具备良好的滤波效果。因此，它常被用作高速数字电路中的局部去耦电容，以抑制电源噪声和瞬态电压波动。
　　此外，该器件批量一致性高，适合自动化贴装工艺。其端子共面性好，与标准SMT钢网匹配度高，有助于提高焊接良率。结合KEMET严格的生产工艺控制，确保了不同批次之间的参数稳定性，便于大规模量产使用。

UVY1C472MHD广泛应用于各类需要稳定电容值和良好高频响应的电子电路中。在便携式消费类电子产品中，如智能手机、平板电脑和可穿戴设备，该电容器常用于电源管理单元（PMU）的输入输出滤波、射频模块的耦合与旁路以及处理器核心的去耦网络。其小型化封装适应了紧凑型PCB布局需求，同时X7R材质保证了在设备发热情况下的性能稳定。
　　在通信系统中，该器件可用于中频滤波器、阻抗匹配网络和EMI抑制电路。例如，在Wi-Fi模组或蓝牙芯片周围布置多个此类电容，可以有效滤除高频干扰，提升信号完整性。其较低的ESR和适中的电容值使其成为构建π型或T型滤波器的理想选择。
　　工业控制领域也是其重要应用场景之一。在PLC控制器、传感器信号调理电路和开关电源反馈环路中，UVY1C472MHD可用于稳定参考电压、滤除噪声干扰以及提供瞬态电流支持。其宽温特性和高可靠性满足工业环境下的长期运行要求。
　　此外，在汽车电子系统中，虽然非AEC-Q200认证版本可能不适用于关键安全系统，但该型号仍可用于车身控制模块（BCM）、车载信息娱乐系统（IVI）和辅助照明驱动等非动力总成应用。配合良好的PCB布局设计，可显著提升系统的电磁兼容性（EMC）表现。
　　在电源转换电路中，如DC-DC变换器和LDO稳压器的输入输出端，该电容常与其他容值电容并联使用，形成多级滤波网络，以应对不同频率范围的噪声成分，从而提高电源纯净度。

C0805X7R1C472M