电容值：6.8μF
　　容差：±20%
　　额定电压：25V
　　工作温度范围：-55°C 至 +125°C
　　封装尺寸：1210（3.2mm x 2.5mm）
　　介质材料：X7R
　　电极材料：镍/银（Ni/Ag）
　　绝缘电阻：10,000MΩ min
　　ESR（等效串联电阻）：15mΩ max
　　额定电流：2.4A

KHC250E685M43N0T00 具备出色的温度稳定性和电压稳定性，能够在宽温度范围内保持电容值的稳定性。该电容器采用镍/银电极材料，提供了良好的导电性和焊接性能。其低ESR特性使其适用于高频开关电源和去耦电路，能够有效降低电源噪声和提高系统稳定性。此外，该器件符合 RoHS 标准，无铅环保，适用于自动化贴片工艺。
　　该电容器的设计考虑了高可靠性和长寿命，能够承受高温和高湿度环境。其X7R介质材料确保在不同工作条件下电容值的变化较小，满足精密电路的需求。KHC250E685M43N0T00 还具备优异的抗机械应力能力，能够在 PCB 弯曲或振动情况下保持良好的电气性能。
　　在高频应用中，该电容器表现出色的阻抗特性和自谐振频率，能够有效滤除高频噪声。此外，其低损耗因数（DF）和高绝缘电阻使其在信号处理和滤波电路中表现出色。

KHC250E685M43N0T00 广泛应用于电源管理模块、DC-DC转换器、稳压器、FPGA和ASIC的去耦电路、汽车电子系统、工业控制设备以及消费类电子产品。由于其高可靠性和稳定性，该电容器也常用于汽车电子系统，如发动机控制单元（ECU）、车载娱乐系统和车身控制模块。

TDK C3225X7R2E685K160AB, Murata GRM32ER61E685KA12L