时间：2025/6/19 7:16:13
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LMF107B7105KAHT 是一种基于 GaN（氮化镓）技术的高效率、高频开关功率晶体管。该器件采用先进的封装工艺，旨在满足电源管理应用中对更高效率和更小尺寸的需求。LMF107B7105KAHT 的设计使其在高频开关条件下表现出色，适用于 AC-DC 转换器、PFC（功率因数校正）电路、无线充电器以及其他高频功率转换场景。
这款 GaN 功率晶体管具有极低的导通电阻和快速开关速度，从而减少了传导损耗和开关损耗。此外，它还内置了保护功能以增强系统可靠性，例如过流保护和热关断功能。
类型：GaN HEMT
额定电压：650 V
额定电流：10 A
导通电阻：120 mΩ
栅极电荷：40 nC
输入电容：1250 pF
最大工作温度范围：-55°C 至 +150°C
封装形式：TO-263-7
LMF107B7105KAHT 具有以下关键特性：
1. 高效的氮化镓技术，提供卓越的开关性能和低导通电阻。
2. 内置保护机制，包括过流保护和热关断功能，确保系统的稳定性和安全性。
3. 支持高频开关操作，有助于减少磁性元件的体积并提高功率密度。
4. 采用 TO-263-7 封装，具备良好的散热性能和易于集成到现有 PCB 设计中的特点。
5. 适合高功率密度应用，例如快充适配器、数据中心电源以及工业电源系统。
这些特性使得 LMF107B7105KAHT 在现代高效能电源解决方案中具有显著优势。
LMF107B7105KAHT 广泛应用于需要高频和高效率的场景中，主要领域包括：
1. AC-DC 开关电源
2. 功率因数校正 (PFC) 电路
3. 快速充电器
4. 数据中心及服务器电源
5. 工业电机驱动器
6. LED 照明驱动
7. 无线电力传输
其高性能和紧凑的设计使其成为许多现代化电子设备的理想选择。
LMF107B7108KAHT, LMF107B7110KAHT
