型号：2SK563
　　类型：N沟道MOSFET
　　漏源电压（Vds）：60V
　　栅源电压（Vgs）：±20V
　　连续漏极电流（Id）：100mA（@ Ta=25°C）
　　脉冲漏极电流（Idm）：400mA
　　功耗（Pd）：200mW
　　工作温度范围：-55°C ~ +150°C
　　存储温度范围：-55°C ~ +150°C
　　导通电阻（Rds(on)）：典型值6.5Ω（@ Vgs=10V, Id=50mA）
　　阈值电压（Vth）：1.0V ~ 2.5V（@ Id=1mA, Vds=Vgs）
　　输入电容（Ciss）：约15pF（@ Vds=10V, f=1MHz）
　　输出电容（Coss）：约8pF（@ Vds=10V, f=1MHz）
　　反向传输电容（Crss）：约2pF（@ Vds=10V, f=1MHz）
　　封装形式：SOT-23（SC-59）或类似小型表面贴装封装

2SK563具有多项优异的电气和物理特性，使其在低功率MOSFET市场中占据重要地位。首先，该器件采用了先进的平面型工艺技术，确保了器件在低栅极驱动电压下仍能实现有效的导通控制，这对于电池供电设备尤为重要，因为系统往往只能提供较低的逻辑电平电压（如3.3V或5V）。其次，2SK563的阈值电压范围适中（1.0V～2.5V），能够兼容多种逻辑接口标准，避免因阈值过高导致无法开启或过低引起误触发的问题。
　　该器件的导通电阻Rds(on)在典型工作条件下仅为6.5Ω，这有助于降低导通状态下的功率损耗，提升整体能效，尤其是在持续运行的小电流负载中表现突出。同时，由于其最大连续漏极电流为100mA，适用于驱动小型继电器、LED指示灯、传感器偏置电路等轻载应用场景。
　　另一个显著特点是其出色的高频响应能力。得益于较小的输入、输出和反向传输电容（Ciss、Coss、Crss均在个位数至十几皮法之间），2SK563在高频开关电路中表现出较低的开关延迟和上升/下降时间，有利于提高开关电源的转换频率和动态响应速度。此外，器件的热阻特性良好，在无外加散热片的小型封装下也能承受一定的温升，保障长期运行的稳定性。
　　2SK563还具备较强的抗干扰能力和环境适应性。其栅极结构经过优化设计，具备一定的静电放电（ESD）防护能力，可在常规生产环境中安全操作，减少因人为静电损坏带来的不良率。同时，器件支持-55°C到+150°C的宽温度工作范围，不仅满足工业级应用需求，也可用于某些恶劣环境下的电子控制系统。总体而言，2SK563是一款集低功耗、小尺寸、高可靠性和良好兼容性于一体的N沟道MOSFET，适用于对成本和空间敏感但对性能有一定要求的应用场景。

2SK563广泛应用于各类低功率电子系统中，尤其适合用作开关元件或信号控制器件。在便携式电子设备中，它常被用于电池供电系统的电源开关控制，例如智能手机、平板电脑、可穿戴设备中的负载开关或电源路径管理模块，通过微控制器信号精确控制外设电源的通断，从而实现节能待机或系统休眠功能。
　　在DC-DC转换器电路中，2SK563可用于同步整流或低端开关拓扑结构中，特别是在升压（Boost）或降压（Buck）变换器的次级侧作为同步整流管使用，以替代传统二极管，减少正向压降损耗，提高转换效率。虽然其电流承载能力有限，但在小功率（几瓦以内）的转换器中仍具优势。
　　此外，该器件也常见于各类传感器信号调理电路中，用于控制传感器的供电时序，防止长时间通电造成能耗浪费。例如在温湿度传感器、光敏元件或气体检测模块中，利用MCU输出信号通过2SK563控制传感器电源，实现按需上电。
　　在通信接口电路中，2SK563还可用于电平转换或信号隔离，配合其他元件构建简单的逻辑开关电路。例如在I2C总线扩展或多路复用器中，用于控制不同从设备的连接状态。
　　工业控制方面，2SK563可用于驱动小型继电器、蜂鸣器、指示灯等执行机构，作为微弱控制信号与负载之间的隔离和放大环节。由于其封装小巧，易于集成在密集布线的PCB上，因此在自动化仪表、智能家居控制板、嵌入式工控模块中均有应用实例。

2N7002
　　BSS138
　　FDS6670A
　　SI2302DS
　　DMG2302UK