时间：2025/8/6 5:11:41
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IXFP4N100QM是一款由Infineon Technologies制造的功率MOSFET，属于CoolMOS?系列。这款MOSFET专为高效率电源应用设计，具备优异的导通和开关性能。该器件采用TO-264封装形式，适用于各种高功率密度设计场景，如服务器电源、电信电源、太阳能逆变器以及工业电源系统。
型号: IXFP4N100QM
类型: N沟道MOSFET
最大漏极电流（ID）: 4A
漏源击穿电压（VDS）: 1000V
栅源电压（VGS）: ±30V
导通电阻（RDS(on))：2.2Ω（最大）
功率耗散（PD）: 150W
工作温度范围: -55°C 至 +150°C
封装类型: TO-264
IXFP4N100QM的主要特性包括其先进的CoolMOS技术，提供极低的导通损耗和开关损耗，从而显著提高能效。此外，该器件具备高雪崩能量耐受能力，增强了系统在异常工作条件下的可靠性。其1000V的漏源电压使其适用于高电压应用环境，并能在恶劣条件下稳定运行。MOSFET的封装设计优化了散热性能，确保在高负载下仍能保持较低的工作温度。此外，该器件的栅极设计具有较高的抗干扰能力，能够有效防止误触发，提升整体系统的稳定性。
在可靠性方面，IXFP4N100QM通过了严格的工业标准测试，具备良好的长期稳定性和耐用性。其内部结构采用优化的芯片布局，降低了热阻，提高了热循环耐久性。这些特性使得该MOSFET在高要求的电源转换应用中表现卓越，能够满足现代高效能电源系统的需求。
IXFP4N100QM广泛应用于高功率密度电源系统，包括服务器和电信电源供应器、不间断电源（UPS）、太阳能逆变器、电池充电器、工业自动化设备以及LED照明系统。此外，它还适用于需要高效能和高可靠性的AC-DC和DC-DC转换器。由于其高耐压特性和优异的热性能，该器件也适合用于高压DC总线转换器以及功率因数校正（PFC）电路。在汽车电子领域，该MOSFET可用于车载充电器和高压电池管理系统中。
STF4NM100N, FQP10N100, IXFP4N100Q
