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2SB1189FRAT100R 发布时间 时间:2025/6/3 12:57:44 查看 阅读:6

2SB1189FRAT100R 是一款高性能的双极性晶体管(Bipolar Junction Transistor, BJT),适用于高频开关和功率放大等应用场景。该型号属于 Toshiba 公司推出的高速开关晶体管系列,主要面向工业控制、通信设备以及电源管理领域。其设计优化了开关速度与热稳定性,能够在较高频率下保持稳定的性能表现。
  该晶体管采用 NPN 结构,具有低饱和电压和高增益的特点,能够有效减少功耗并提升电路效率。

参数

集电极-发射极电压:60V
  集电极电流:15A
  直流电流增益(hFE):最小值50,最大值200
  集电极-基极击穿电压:50V
  功耗:150W
  过渡频率(fT):300MHz
  存储温度范围:-55℃ 至 +150℃
  封装形式:TO-247

特性

2SB1189FRAT100R 的主要特点是其出色的开关速度和高温工作能力,适合需要快速响应的应用环境。此外,它具备以下优势:
  1. 高频工作能力:由于过渡频率达到 300MHz,该晶体管在高频场景中表现出色,特别适合射频放大器和高速开关电路。
  2. 低饱和电压:较低的饱和电压有助于降低导通损耗,从而提高整体系统效率。
  3. 热稳定性强:能够在高达 150℃ 的环境下稳定运行,非常适合对温度敏感的工业或汽车应用。
  4. 大电流处理能力:支持最高 15A 的集电极电流,满足高功率需求。
  5. 宽工作电压范围:可承受高达 60V 的集电极-发射极电压,增强了器件的鲁棒性。

应用

这款晶体管广泛应用于各种需要高效率和高频性能的场景,包括但不限于以下领域:
  1. 功率放大器:用于音频设备和其他需要大功率输出的放大器。
  2. 开关电源(SMPS):作为开关元件,提供高效的能量转换。
  3. 电机驱动:控制电机的速度和方向,特别是在工业自动化和机器人领域。
  4. 继电器替代:用作固态继电器,避免传统机械继电器的磨损问题。
  5. 通信设备:例如基站中的信号放大或调制解调电路。
  6. 汽车电子:如发动机控制单元(ECU)、车身控制系统等。

替代型号

2SD1189FRA,
  2SC5271,
  2SC5272

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