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MT47H256M8THN-25E:M 发布时间 时间:2025/10/22 16:22:42 查看 阅读:8

MT47H256M8THN-25E:M 是由 Micron Technology(美光科技)生产的一款高性能 DDR2 SDRAM 存储器芯片。该器件属于美光的 DDR2 内存产品线,广泛应用于需要高带宽、低功耗和稳定性能的嵌入式系统、网络设备、工业控制以及消费类电子产品中。这款芯片采用 80-ball TFBGA(Thin Fine-Pitch Ball Grid Array)封装,尺寸紧凑,适合对空间要求较高的应用场合。MT47H256M8THN-25E:M 的存储容量为 256 Megabits(即 32 Megabytes),组织结构为 16 Megabits x 16 x 8 banks,工作电压为标准的 1.8V ±0.1V,符合 JEDEC 标准的 DDR2 接口规范。其最高数据传输速率可达 800 Mbps(对应时钟频率 400 MHz,双倍数据速率),对应的访问时间标称为 -25E,表示其时序参数支持在 2.5 纳秒的时钟周期下运行,等效于 PC2-6400 或 DDR2-800 规格。该器件支持自动刷新、自刷新、温度补偿自刷新(TCSR)、部分阵列自刷新(PASR)等多种低功耗模式,有助于延长移动设备的电池寿命并降低系统整体功耗。此外,MT47H256M8THN-25E:M 还具备内部核心电压调节、差分时钟输入(CK/!CK)、数据选通屏蔽(DQM/UDQM/LDQM)等功能,确保在高速操作下的信号完整性与稳定性。由于其出色的性能与可靠性,该芯片常被用于路由器、交换机、机顶盒、打印机、监控设备以及其他中端嵌入式平台中作为主内存或缓存使用。

参数

型号:MT47H256M8THN-25E:M
  制造商:Micron Technology
  器件类型:DDR2 SDRAM
  存储容量:256 Mbit (32 MB)
  组织结构:16M x 16 x 8 banks
  电压:1.8V ±0.1V
  最大时钟频率:400 MHz
  数据速率:DDR2-800 (800 Mbps)
  访问时间:2.5 ns (-25E)
  封装类型:80-ball TFBGA (13x11.5x0.9mm)
  I/O 总线宽度:16-bit
  工作温度范围:商业级 (0°C 至 +70°C)
  刷新模式:Auto Refresh, Self Refresh, Temperature Compensated Self Refresh (TCSR)
  功能特性:支持 DLL, OCD, AL, BL=4/8/OTF

特性

MT47H256M8THN-25E:M 具备多项先进的技术特性,使其在同类 DDR2 存储器中表现出优异的性能与可靠性。首先,该芯片采用双倍数据速率(DDR)架构,在时钟信号的上升沿和下降沿均能传输数据,从而实现高达 800 Mbps 的数据传输速率,显著提升了系统内存带宽,适用于需要快速数据吞吐的应用场景。其内部集成了延迟锁定环(DLL),用于精确对齐输出数据与时钟信号,减少时序偏差,提高高速通信下的稳定性。此外,该器件支持多种突发长度(Burst Length, BL)配置,包括固定 BL=4、BL=8 以及可变突发模式(On-The-Fly,OTF),允许系统根据实际需求动态调整数据传输长度,优化效率与功耗之间的平衡。
  在功耗管理方面,MT47H256M8THN-25E:M 提供了丰富的节能机制。除了标准的自动刷新(Auto Refresh)外,还支持自刷新(Self Refresh)模式,此时外部控制器可以关闭时钟信号,内存自行维持数据完整性,大幅降低待机功耗。更进一步地,它具备温度补偿自刷新(TCSR)功能,可根据环境温度自动调节刷新频率——在高温环境下增加刷新次数以防止数据丢失,在低温时减少刷新频率以节省电力,这对于长时间运行且散热条件有限的嵌入式系统尤为重要。部分阵列自刷新(PASR)功能则允许仅对正在使用的内存区域进行刷新,未使用的区域进入深度休眠状态,进一步提升能效。
  该芯片还具备差分时钟输入(CK 和 !CK),增强了抗噪声能力,确保在高频操作下的信号完整性。数据选通屏蔽(DQM)信号可用于控制数据 I/O 的读写使能,支持精细的数据掩码操作。输入/输出逻辑兼容 SSTL_18 标准,确保与其他 DDR2 兼容器件的良好互操作性。其 80-ball TFBGA 封装具有较小的占地面积和较低的封装高度,便于在高密度 PCB 设计中布局布线,并有利于热传导与散热管理。整体设计符合 RoHS 环保标准,适用于全球市场的电子产品制造。

应用

MT47H256M8THN-25E:M 广泛应用于各类中高端嵌入式系统与通信设备中。典型应用场景包括网络基础设施设备如千兆以太网交换机、企业级路由器和防火墙,这些设备需要稳定的内存性能来处理高速数据包转发与路由表查找任务。在工业自动化领域,该芯片可用于 PLC 控制器、HMI 人机界面终端和工控机,提供可靠的数据存储与实时响应能力。消费电子方面,常见于高清机顶盒、智能电视、数字视频录像机(DVR)和多功能打印机中,作为操作系统运行内存或图形缓冲区使用。此外,在安防监控系统中,该芯片可支持多路视频流的编码与缓存处理,满足长时间连续工作的稳定性要求。由于其低功耗特性和良好的温度适应性,也适用于便携式医疗设备、测试仪器和车载信息娱乐系统等对环境适应性要求较高的场合。随着部分新型设备逐步转向 DDR3 或 LPDDR 类型内存,MT47H256M8THN-25E:M 仍因其成本效益和供货稳定性,在许多成熟设计中继续发挥重要作用。

替代型号

MT47H32M16HR-25:H
  MT47H64M16HR-25:H
  IS43TR16256A-25BLL

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MT47H256M8THN-25E:M参数

  • 现有数量0现货
  • 价格停产
  • 系列-
  • 包装散装
  • 产品状态停产
  • 存储器类型易失
  • 存储器格式DRAM
  • 技术SDRAM - DDR2
  • 存储容量2Gb
  • 存储器组织256M x 8
  • 存储器接口并联
  • 时钟频率400 MHz
  • 写周期时间 - 字,页15ns
  • 访问时间400 ps
  • 电压 - 供电1.7V ~ 1.9V
  • 工作温度0°C ~ 85°C(TC)
  • 安装类型表面贴装型
  • 封装/外壳63-TFBGA
  • 供应商器件封装63-FBGA(8x10)