时间：2025/8/28 2:54:39
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LQ10D345是一款由东芝（Toshiba）制造的功率晶体管，属于MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）类别。该器件设计用于高功率和高频率应用，如电源转换、电机控制和逆变器系统。LQ10D345采用先进的沟道技术，确保在高电流负载下仍能保持稳定的性能。这款MOSFET封装在坚固的塑料外壳中，具备良好的散热性能，适用于需要高效能和可靠性的工业和汽车电子系统。
类型：N沟道MOSFET
最大漏源电压（Vds）：100V
最大漏极电流（Id）：50A
导通电阻（Rds(on)）：约0.018Ω（典型值）
栅极阈值电压（Vgs(th)）：2V至4V
最大功耗（Pd）：150W
工作温度范围：-55°C至+175°C
封装形式：TO-252（DPAK）
LQ10D345具有低导通电阻，这有助于降低功率损耗并提高系统效率。其高电流容量和良好的热稳定性使其适用于高功率密度设计。此外，该器件具备快速开关能力，适合用于高频开关应用，如DC-DC转换器和电机驱动器。
该MOSFET的栅极驱动电压范围较宽，支持2V至10V的驱动电压，使其能够与多种控制器和驱动器兼容。其耐用的封装结构提供了良好的热管理和机械保护，确保在恶劣工作环境下的可靠性。
在短路和过载情况下，LQ10D345具有一定的抗干扰能力，可防止器件因瞬时故障而损坏。这种特性使其在工业自动化、电动工具和汽车电子系统中表现出色。
LQ10D345广泛应用于各类电力电子设备中，包括开关电源（SMPS）、DC-DC转换器、电机控制器、电池管理系统（BMS）以及汽车电子模块。其高效能和高可靠性也使其成为新能源汽车、光伏逆变器和工业自动化控制系统中的理想选择。在需要高效率和紧凑设计的现代电子系统中，LQ10D345提供了稳定的性能保障。
TKA150N10W、IRF150N10DPBF、SiR150N10
