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IPL60R299CP 发布时间 时间:2025/5/8 14:50:34 查看 阅读:6

IPL60R299CP 是一款由 Infineon(英飞凌)生产的功率 MOSFET,属于 CoolMOS 系列。该器件采用先进的超级结技术设计,具有低导通电阻和高开关效率的特点,适用于各种高频开关电源、DC-DC 转换器以及电机驱动等应用。
  该型号的主要特点是其优化的动态性能和出色的热稳定性,能够有效降低功耗并提高系统的整体效率。

参数

类型:N沟道 MOSFET
  封装:DPAK (TO-263)
  VDS(漏源极电压):650 V
  RDS(on)(导通电阻):299 mΩ
  ID(连续漏极电流):14.7 A
  栅极电荷(Qg):36 nC
  输入电容(Ciss):2800 pF
  输出电容(Coss):260 pF
  反向恢复时间(trr):30 ns

特性

IPL60R299CP 采用了英飞凌的 CoolMOS 技术,能够在高频工作条件下保持高效运行。其主要特性包括:
  1. 极低的导通电阻 RDS(on),可显著降低传导损耗。
  2. 高速开关性能,适合高频应用。
  3. 出色的热稳定性,确保在高温环境下也能稳定工作。
  4. 较低的栅极电荷和输出电容,有助于减少开关损耗。
  5. 符合 RoHS 标准,环保且安全。
  6. 可靠性高,使用寿命长,适合工业级和消费级应用。

应用

IPL60R299CP 广泛应用于以下领域:
  1. 开关电源(SMPS),如适配器、充电器等。
  2. DC-DC 转换器,用于电压调节和电源管理。
  3. 电机驱动,特别是小功率直流电机控制。
  4. 逆变器和 UPS 系统。
  5. 工业自动化设备中的功率转换模块。
  6. 各种需要高频开关和高效功率管理的电子设备。

替代型号

IPL60R270CP, IPL60R289CP

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IPL60R299CP参数

  • 数据列表IPL60R299CP
  • 标准包装3,000
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭FET - 单
  • 系列CoolMOS™
  • FET 型MOSFET N 通道,金属氧化物
  • FET 特点标准型
  • 漏极至源极电压(Vdss)650V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C11.1A
  • 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C299 毫欧 @ 6.6A,10V
  • Id 时的 Vgs(th)(最大)3.5V @ 440µA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs22nC @ 10V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds1100pF @ 100V
  • 功率 - 最大96W
  • 安装类型表面贴装
  • 封装/外壳4-TSFN 裸露焊盘
  • 供应商设备封装PG-VSON-4
  • 包装带卷 (TR)
  • 其它名称IPL60R299CP-NDIPL60R299CPAUMA1SP000841896