IPL60R299CP 是一款由 Infineon(英飞凌)生产的功率 MOSFET,属于 CoolMOS 系列。该器件采用先进的超级结技术设计,具有低导通电阻和高开关效率的特点,适用于各种高频开关电源、DC-DC 转换器以及电机驱动等应用。
该型号的主要特点是其优化的动态性能和出色的热稳定性,能够有效降低功耗并提高系统的整体效率。
类型:N沟道 MOSFET
封装:DPAK (TO-263)
VDS(漏源极电压):650 V
RDS(on)(导通电阻):299 mΩ
ID(连续漏极电流):14.7 A
栅极电荷(Qg):36 nC
输入电容(Ciss):2800 pF
输出电容(Coss):260 pF
反向恢复时间(trr):30 ns
IPL60R299CP 采用了英飞凌的 CoolMOS 技术,能够在高频工作条件下保持高效运行。其主要特性包括:
1. 极低的导通电阻 RDS(on),可显著降低传导损耗。
2. 高速开关性能,适合高频应用。
3. 出色的热稳定性,确保在高温环境下也能稳定工作。
4. 较低的栅极电荷和输出电容,有助于减少开关损耗。
5. 符合 RoHS 标准,环保且安全。
6. 可靠性高,使用寿命长,适合工业级和消费级应用。
IPL60R299CP 广泛应用于以下领域:
1. 开关电源(SMPS),如适配器、充电器等。
2. DC-DC 转换器,用于电压调节和电源管理。
3. 电机驱动,特别是小功率直流电机控制。
4. 逆变器和 UPS 系统。
5. 工业自动化设备中的功率转换模块。
6. 各种需要高频开关和高效功率管理的电子设备。
IPL60R270CP, IPL60R289CP