UVK105CG0R6BW-F 是一款基于氮化镓(GaN)技术的高效功率开关器件,广泛应用于高频、高效率的电力电子系统中。该器件采用增强型 GaN FET 技术,具备低导通电阻和快速开关性能,适合用于 AC-DC 转换器、DC-DC 转换器以及无线充电等应用领域。
UVK105CG0R6BW-F 通过优化栅极驱动设计和封装技术,能够有效降低开关损耗并提升整体系统的功率密度。
额定电压:650V
导通电阻:40mΩ
最大电流:20A
栅极电荷:30nC
开关频率范围:高达5MHz
工作温度范围:-55℃ 至 +150℃
封装形式:TO-252(DPAK)
UVK105CG0R6BW-F 具备以下显著特性:
1. 高效性:得益于其低导通电阻和快速开关速度,能够大幅减少传导和开关损耗。
2. 紧凑设计:使用先进的封装工艺,支持更高功率密度的应用。
3. 热稳定性:即使在高温环境下也能保持稳定的性能输出。
4. 易于驱动:具有标准逻辑电平兼容的栅极驱动要求,简化了电路设计。
5. 高可靠性:经过严格的质量测试,确保在严苛条件下的长期稳定运行。
此外,UVK105CG0R6BW-F 的高频性能使其非常适合现代小型化、轻量化的设计需求。
UVK105CG0R6BW-F 可广泛应用于以下领域:
1. 开关电源 (SMPS) 和 AC-DC 转换器。
2. 高效 DC-DC 转换模块。
3. 消费类电子产品中的快充适配器。
4. 工业设备中的高频逆变器。
5. 无线充电发射端及接收端。
6. LED 驱动器和其他功率管理系统。
由于其出色的性能,UVK105CG0R6BW-F 成为众多需要高效率和高频工作的电力电子设备的理想选择。
UVK105CG0R8BWF, IRF9640, FDP15AH