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AOD66406 发布时间 时间:2025/6/3 9:21:25 查看 阅读:5

AOD66406是一款高性能的N沟道MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),适用于广泛的开关和功率管理应用。该器件采用先进的制造工艺,具有低导通电阻、快速开关速度和优异的热性能。
  这种MOSFET通常被用于电源转换、电机驱动、负载开关以及其他需要高效能和低损耗的应用场景中。

参数

型号:AOD66406
  类型:N-Channel MOSFET
  漏源极击穿电压(Vds):60V
  连续漏极电流(Id):28A
  导通电阻(Rds(on)):3.1mΩ
  栅极电荷(Qg):47nC
  总电容(Ciss):2950pF
  功耗(Ptot):15W
  工作温度范围:-55℃ to +175℃
  封装形式:TO-220

特性

AOD66406具备极低的导通电阻Rds(on),这使得它在高电流应用中能够显著降低功率损耗。
  其高击穿电压确保了器件能够在较宽的电压范围内安全运行。
  此外,该器件的快速开关特性减少了开关过程中的能量损失,提高了整体效率。
  由于采用了优化的热设计,AOD66406可以承受较高的结温,从而增强了系统的可靠性和寿命。
  它还具有出色的静电放电(ESD)防护能力,进一步提高了产品在实际环境中的耐用性。

应用

AOD66406广泛应用于各类工业和消费类电子设备中,包括但不限于以下领域:
  - 开关模式电源(SMPS)的设计与实现
  - 逆变器和转换器中的关键组件
  - 各种类型的电机驱动电路
  - 负载开关和保护电路
  - 电池管理系统(BMS)中的充放电控制
  此外,这款MOSFET也适合用于需要高效能功率切换的其他应用场景。

替代型号

AON66406,AOT66406

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AOD66406参数

  • 现有数量27,797现货
  • 价格1 : ¥4.77000剪切带(CT)2,500 : ¥1.83977卷带(TR)
  • 系列AlphaSGT?
  • 包装卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel? 得捷定制卷带
  • 产品状态在售
  • FET 类型N 通道
  • 技术MOSFET(金属氧化物)
  • 漏源电压(Vdss)40 V
  • 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)25A(Ta),60A(Tc)
  • 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)4.5V,10V
  • 不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)6.1 毫欧 @ 20A,10V
  • 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)2.5V @ 250μA
  • 不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)(最大值)30 nC @ 10 V
  • Vgs(最大值)±20V
  • 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)1480 pF @ 20 V
  • FET 功能-
  • 功率耗散(最大值)6.2W(Ta),52W(Tc)
  • 工作温度-55°C ~ 150°C(TJ)
  • 安装类型表面贴装型
  • 供应商器件封装TO-252(DPAK)
  • 封装/外壳TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63