类型：肖特基二极管阵列
　　配置：单组二极管（具体结构依据数据手册）
　　最大重复反向电压（VRRM）：100 V
　　平均整流电流（IO）：200 mA
　　峰值正向浪涌电流（IFSM）：800 mA
　　最大正向电压（VF）：0.55 V @ 10 mA
　　反向漏电流（IR）：0.1 μA @ 25°C
　　反向恢复时间（trr）：典型值4 ns
　　工作结温范围（TJ）：-55 °C 至 +125 °C
　　存储温度范围（TSTG）：-65 °C 至 +150 °C
　　封装类型：SOD-323（SC-76）
　　安装方式：表面贴装（SMT）
　　引脚数：2
　　极性：单向
　　热阻（JA）：约350 °C/W（取决于PCB布局）

UUT1H4R7MCL1GS的核心特性之一是其采用的肖特基势垒技术，这种结构使得器件具备非常低的正向导通压降，通常在0.55V左右，远低于传统PN结二极管的0.7V以上。这一特性显著降低了器件在导通状态下的功率损耗，提高了整体系统的能效，特别适用于电池供电设备或对功耗敏感的应用场景。由于没有少数载流子存储效应，肖特基二极管具备极快的开关速度，反向恢复时间典型值仅为4ns，这使其非常适合用于高频整流、开关电源中的续流与箝位电路，以及高速数字信号处理中的电平钳位功能。
　　该器件具有良好的热稳定性和可靠性，在-55°C至+125°C的工作结温范围内性能稳定，能够适应严苛的环境条件。SOD-323小型化封装不仅节省印刷电路板空间，还支持高密度布局，适用于便携式电子设备如智能手机、平板电脑、可穿戴设备等。此外，该封装形式具有优异的机械强度和焊接可靠性，适合回流焊和波峰焊工艺，满足现代自动化生产线的要求。UUT1H4R7MCL1GS还具备低反向漏电流特性，在常温下仅为0.1μA，有助于减少待机功耗并提升系统效率。虽然肖特基二极管的反向击穿电压相对较低，但本器件100V的耐压能力已足以覆盖多数低压直流电路的应用需求，包括USB接口保护、DC-DC转换器输出整流等。
　　另一个重要特性是其环保合规性，该器件符合RoHS指令要求，不含铅、镉等有害物质，支持绿色制造理念。同时，它通过了多项国际可靠性测试标准，具备出色的抗湿气性能和长期稳定性，确保在复杂环境中长期运行不失效。对于需要多通道保护或整流功能的设计，可通过并联或多片使用实现扩展功能，而无需更换更大封装的器件。总体而言，UUT1H4R7MCL1GS以其高性能、小尺寸和高可靠性，成为现代电子系统中不可或缺的基础元件之一。

UUT1H4R7MCL1GS广泛应用于各类需要高效、快速开关响应的电子系统中。在电源管理系统中，它常被用作DC-DC变换器中的同步整流替代方案或续流二极管，利用其低正向压降特性降低能量损耗，提高转换效率。在便携式消费类电子产品如智能手机、蓝牙耳机、智能手表等设备中，该器件可用于电池充放电回路的极性保护，防止因反接导致的电路损坏。此外，在USB接口电路中，它可以作为瞬态电压抑制辅助元件，配合TVS管进行过压和反向电流防护，保障主控芯片安全。
　　在高频信号处理领域，UUT1H4R7MCL1GS凭借其纳秒级的反向恢复时间，适用于高速开关电路中的信号整形与钳位操作，例如在数字逻辑电路中限制信号幅度，防止输入端过冲造成误触发。在传感器模块中，该二极管可用于电源去耦和噪声抑制，确保敏感模拟信号不受干扰。工业控制设备中也常见其身影，如PLC输入滤波电路、光电耦合器前端保护等场合，提供可靠的隔离与保护功能。
　　此外，该器件还可用于LED驱动电路中的防倒灌设计，避免关闭状态下电流反向流动影响其他支路正常工作。在无线充电接收端电路中，也可作为整流桥的一部分，将高频交流电转换为直流电供负载使用。由于其小型封装和表面贴装特性，特别适合空间受限的高集成度主板设计。在汽车电子中，尽管不直接用于高温引擎舱内，但在座舱娱乐系统、车载导航等低温区电子模块中仍有应用潜力。总之，UUT1H4R7MCL1GS凭借其优异的电气性能和紧凑的物理尺寸，已成为众多电子设计中的理想选择。

BAS40-04, PMEG2005EH, RB520S-40, MMBD914, SS12