SZMM3Z18VT1GX 是一款由ONSEMI(安森美半导体)制造的表面贴装齐纳二极管,适用于需要稳定电压参考的电子电路。齐纳二极管是一种特殊的二极管,它在反向击穿电压下工作,能够提供稳定的电压输出,常用于电源管理、电压调节、电路保护和信号处理等领域。SZMM3Z18VT1GX 采用SOD-323封装,适合高密度PCB布局。
类型:齐纳二极管
封装类型:SOD-323
功率耗散:200mW
齐纳电压:18V
最大齐纳电流:100mA
最大反向漏电流:100nA(@ 10V)
工作温度范围:-55°C ~ 150°C
存储温度范围:-55°C ~ 150°C
SZMM3Z18VT1GX 具备优异的电压稳定性和较低的动态阻抗,使其在负载变化时仍能保持稳定的输出电压。该器件的齐纳电压为18V,适用于中高压应用场合。SOD-323的小型封装设计不仅节省了PCB空间,而且便于自动化生产和表面贴装工艺。此外,该齐纳二极管具有较宽的工作温度范围(-55°C至150°C),能够在恶劣环境条件下稳定工作。
在电气特性方面,SZMM3Z18VT1GX的最大功率耗散为200mW,最大齐纳电流为100mA,反向漏电流极低(在10V时为100nA),确保了在待机或低功耗模式下不会产生显著的功耗。其封装材料符合RoHS标准,适用于环保要求较高的电子产品设计。此外,该器件具有良好的热稳定性和长期可靠性,适合用于工业控制、通信设备、消费电子和汽车电子等多种应用场景。
SZMM3Z18VT1GX 主要用于电源电路中的电压基准、过压保护、信号调理以及稳压电路等场合。由于其18V的齐纳电压特性,适用于中高压模拟和数字电路中的参考电压源。例如,在电池管理系统中,它可以作为电压检测电路的一部分,用于确保系统在安全电压范围内运行。此外,该器件也广泛应用于DC-DC转换器、稳压电源、传感器信号调节电路以及各种需要电压钳位和保护的场合。由于其小型封装和优良的温度稳定性,也适合在便携式电子设备和高温环境中使用。
MM3Z18VT1, SZMM3Z18VHE3-08, SZMM3Z18VHE3-10