型号：UTT75N08G-TN3-R
　　类型：N沟道增强型MOSFET
　　最大漏源电压(VDS)：80V
　　最大栅源电压(VGS)：±20V
　　连续漏极电流(ID)@25°C：75A
　　连续漏极电流(ID)@100°C：37.5A
　　脉冲漏极电流(IDM)：280A
　　功耗(PD)：250W
　　导通电阻(RDS(on))@VGS=10V：≤8.5mΩ
　　导通电阻(RDS(on))@VGS=4.5V：≤11mΩ
　　阈值电压(VGS(th))@ID=250μA：2.0~4.0V
　　输入电容(Ciss)@VDS=25V：10000pF
　　输出电容(Coss)@VDS=25V：1500pF
　　反向恢复时间(trr)：35ns
　　工作结温范围(TJ)：-55°C~+175°C
　　封装：TO-252(DPAK)
　　安装类型：表面贴装

UTT75N08G-TN3-R采用了先进的沟槽型场效应晶体管结构与优化的硅基工艺，实现了极低的导通电阻与优异的开关性能之间的平衡。其核心优势之一在于RDS(on)的显著降低，在VGS=10V时典型值仅为8.5mΩ，这意味着在大电流应用中能够大幅减少I2R导通损耗，提升电源系统的整体转换效率。例如，在同步整流或Buck变换器中使用该器件作为主开关或续流管时，可有效降低温升，减少对散热器的依赖，从而缩小整机体积并提高功率密度。此外，较低的RDS(on)也有助于延长电池供电设备的工作时间，特别适用于便携式工业设备或电动工具等应用场景。
　　该器件具备出色的动态特性，输入电容Ciss约为10000pF，输出电容Coss为1500pF，在高频开关条件下仍能保持较快的响应速度。这使得UTT75N08G-TN3-R非常适合用于工作频率较高的DC-DC转换器中，例如服务器电源、LED驱动电源或车载充电模块。同时，其反向恢复时间trr仅为35ns，表明其内置体二极管具有良好的反向恢复能力，能有效抑制因二极管反向恢复引起的电压尖峰和电磁干扰（EMI），从而提升系统可靠性和抗干扰能力。
　　在热管理方面，TO-252封装提供了良好的热传导路径，结合250W的最大功耗能力，使器件可在较高环境温度下持续运行。器件支持宽泛的工作结温范围（-55°C至+175°C），增强了其在极端环境下的适应能力。此外，±20V的栅源电压耐受能力提升了其抗过压冲击的能力，避免因驱动信号异常导致的栅氧层击穿。总体而言，UTT75N08G-TN3-R凭借其低损耗、高电流、高可靠性等综合优势，成为现代高效能电源系统中的理想选择。

UTT75N08G-TN3-R广泛应用于各类需要高效、大电流开关能力的电力电子系统中。其主要应用领域包括但不限于：开关模式电源（SMPS），特别是在中高功率AC-DC和DC-DC转换器中作为主开关或同步整流管；在Buck、Boost和半桥拓扑结构中表现优异，可用于服务器电源、通信电源模块及工业电源单元。此外，该器件也常用于电机驱动系统，如直流无刷电机（BLDC）控制器、电动工具、风扇和泵类设备的驱动电路中，其高电流承载能力和快速开关特性有助于实现平滑调速与高效能量利用。
　　在新能源相关应用中，UTT75N08G-TN3-R可用于太阳能微逆变器、储能系统中的双向DC-DC变换器以及电动汽车车载充电机（OBC）的次级侧整流环节。由于其具备良好的热稳定性和长期可靠性，适合在高温、高湿或振动环境中长期运行。此外，该器件还可用于电池管理系统（BMS）中的充放电控制开关，提供低损耗的通断路径。在消费类电子产品中，如大功率LED照明驱动、笔记本电脑适配器、游戏主机电源等，该MOSFET也能发挥其高效率优势，帮助满足日益严格的能效标准（如80 PLUS认证）。
　　由于采用TO-252表面贴装封装，UTT75N08G-TN3-R便于自动化生产装配，适用于大规模制造场景。其小型化设计有助于节省PCB空间，同时通过优化布局可进一步提升散热效果。因此，无论是工业级设备还是消费类电子产品，只要涉及80V以内电压等级的大电流开关需求，UTT75N08G-TN3-R都是一种极具竞争力的解决方案。

UTT75N08G