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JMK105BJ105KV-F 发布时间 时间:2025/5/31 2:09:22 查看 阅读:10

JMK105BJ105KV-F 是一种金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET),具体为 N 沱沟道功率 MOSFET。这种元器件主要用于高效能开关应用,如开关电源、电机驱动和负载切换等场景。该型号以其低导通电阻、高开关速度以及出色的热性能而著称,广泛应用于消费电子、工业控制及通信设备中。
  它采用了先进的制造工艺,在提高效率的同时降低了功耗,适合需要高频率操作的电路设计。

参数

型号:JMK105BJ105KV-F
  类型:N 沟道 MOSFET
  最大漏源电压(VDS):105V
  最大栅源电压(VGS):±20V
  连续漏极电流(ID):58A
  导通电阻(RDS(on)):4.5mΩ(在 VGS=10V 时)
  总功耗(Ptot):30W
  封装形式:TO-247-3
  工作温度范围:-55°C 至 +175°C

特性

JMK105BJ105KV-F 具有以下显著特点:
  1. 极低的导通电阻(RDS(on)),能够有效减少导通损耗,从而提升整体效率。
  2. 高雪崩能量能力,增强了器件在异常情况下的耐受性。
  3. 快速开关特性,适用于高频应用场景,同时减少了开关损耗。
  4. 强大的散热性能,允许在较高的结温下稳定运行。
  5. 符合 RoHS 标准,确保环保与安全要求。
  6. 良好的静电防护能力,提高了产品的可靠性。

应用

该型号 MOSFET 可用于以下领域:
  1. 开关电源(SMPS)中的主开关管或同步整流管。
  2. 电动工具和家用电器中的电机驱动电路。
  3. 工业自动化设备中的负载切换。
  4. 太阳能逆变器以及其他功率转换系统。
  5. 各类 DC/DC 和 AC/DC 转换器。
  6. 电池管理系统(BMS)中的保护开关。
  JMK105BJ105KV-F 的高性能和可靠性使其成为许多高功率密度应用的理想选择。

替代型号

IRFP260N
  STP55NF06L
  FDP55N06L

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JMK105BJ105KV-F参数

  • 标准包装1
  • 类别电容器
  • 家庭陶瓷
  • 系列M
  • 电容1.0µF
  • 电压 - 额定6.3V
  • 容差±10%
  • 温度系数X5R
  • 安装类型表面贴装,MLCC
  • 工作温度-55°C ~ 85°C
  • 应用通用
  • 额定值-
  • 封装/外壳0402(1005 公制)
  • 尺寸/尺寸0.039" L x 0.020" W(1.00mm x 0.50mm)
  • 高度 - 座高(最大)-
  • 厚度(最大)0.022"(0.55mm)
  • 引线间隔-
  • 特点-
  • 包装Digi-Reel®
  • 引线型-
  • 其它名称587-1231-6