时间：2025/4/27 9:48:14
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PW328B-30G 是一款高性能的功率 MOSFET 芯片，采用 N 沟道增强型设计。该器件具有低导通电阻和高开关速度的特点，适合用于高频开关电源、DC-DC 转换器、电机驱动以及负载开关等应用领域。
其封装形式通常为 TO-252 或 DPAK，具备良好的散热性能，能够满足高功率密度的设计需求。
最大漏源电压：60V
连续漏极电流：30A
导通电阻：4.5mΩ
栅极电荷：35nC
开关速度：10ns
工作温度范围：-55℃ 至 +175℃
PW328B-30G 的主要特性包括：
1. 极低的导通电阻（Rds(on)），在典型工作条件下可有效降低功耗，提高系统效率。
2. 高速开关性能，适用于高频应用场景，减少电磁干扰和热损耗。
3. 具备出色的热稳定性，在高温环境下依然能保持稳定的电气性能。
4. 封装设计紧凑，有助于节省 PCB 空间，同时提供优异的散热能力。
5. 内置反向二极管功能，进一步优化了续流回路性能。
PW328B-30G 广泛应用于以下领域：
1. 开关电源适配器及充电器中的同步整流电路。
2. 电动汽车和电动工具中的电机驱动模块。
3. 高效 DC-DC 转换器的核心开关元件。
4. 各类工业设备中的负载控制与保护电路。
5. LED 驱动器以及其他需要高效率、低损耗的功率转换场景。
PW328A-30G, IRF3205, AO3400
