UTT75N08 时间：2025/12/27 7:46:40 阅读：27

UTT75N08是一款由Unisonic Technologies（友顺科技）生产的N沟道增强型功率MOSFET，采用先进的沟槽技术制造，具有低导通电阻、高开关速度和优良的热稳定性等特点。该器件设计用于高性能电源管理系统中，适用于DC-DC转换器、电机驱动、电源开关以及各类功率控制应用。UTT75N08的额定电压为80V，连续漏极电流可达75A，能够在高负载条件下稳定工作。其封装形式通常为TO-220或TO-263（D2PAK），便于在各种电路板上安装并具备良好的散热性能。由于采用了优化的芯片结构，UTT75N08在降低导通损耗的同时也减少了开关过程中的能量损耗，从而提高了整体系统效率。这款MOSFET广泛应用于工业控制、消费类电子设备及通信电源等领域。
　　UTT75N08的关键优势在于其出色的RDS(on)特性，在VGS = 10V时典型值仅为8.5mΩ，能够显著减少传导损耗，提升能效表现。此外，该器件还具备较强的抗雪崩能力和良好的dv/dt抗扰度，增强了系统的可靠性和鲁棒性。内置的体二极管支持反向电流流通，适合在感性负载切换场合使用。为了确保长期工作的稳定性，UTT75N08通过了严格的可靠性测试，并符合RoHS环保要求。用户在使用时应合理设计栅极驱动电路，避免过高的电压尖峰损坏栅氧化层，同时建议配合适当的散热措施以发挥其最大性能潜力。

参数

型号：UTT75N08
　　类型：N沟道MOSFET
　　漏源电压(VDS)：80V
　　栅源电压(VGS)：±20V
　　连续漏极电流(ID)：75A @ 25°C
　　脉冲漏极电流(IDM)：300A
　　导通电阻(RDS(on))：8.5mΩ @ VGS=10V
　　导通电阻(RDS(on))：11mΩ @ VGS=4.5V
　　阈值电压(Vth)：2.0V ~ 4.0V
　　输入电容(Ciss)：4500pF @ VDS=40V
　　输出电容(Coss)：900pF @ VDS=40V
　　反向恢复时间(trr)：30ns
　　工作温度范围：-55°C ~ +175°C
　　封装形式：TO-220 / TO-263(D2PAK)

特性

UTT75N08采用先进的沟槽式MOSFET工艺，这种结构使得电流路径更加垂直，有效降低了单位面积上的导通电阻，从而实现了极低的RDS(on)值。在VGS=10V时，其典型导通电阻仅为8.5mΩ，即便在较低的驱动电压如4.5V下也能保持11mΩ的优异水平，这对于提高电源转换效率至关重要。低RDS(on)意味着更小的I2R损耗，尤其在大电流应用场景中效果显著，有助于减少发热并延长系统寿命。此外，该器件具有较高的电流承载能力，连续漏极电流可达75A，短时脉冲电流甚至可达到300A，满足瞬态高负载需求。
　　该MOSFET具备优良的开关特性，输入电容Ciss为4500pF，输出电容Coss为900pF，在高频开关应用中表现出色。较小的电容值有助于减少栅极驱动功耗，加快开关速度，从而降低开关损耗。反向恢复时间trr仅为30ns，说明其体二极管具有较快的恢复能力，适用于同步整流等对反向恢复特性敏感的应用场景。同时，器件拥有良好的热稳定性，最大结温高达+175°C，可在高温环境下持续运行，适用于严苛工业环境。
　　安全性方面，UTT75N08具备强大的抗静电放电（ESD）能力，并经过严格测试以确保栅氧层不会因过压而击穿。其±20V的栅源电压耐受范围提供了足够的安全裕量，防止因驱动异常导致器件损坏。此外，该器件还表现出优异的抗雪崩能力，能够在发生意外过压时吸收一定能量而不失效，增强了系统的可靠性。符合RoHS标准，无铅且环保，适用于现代绿色电子产品设计。封装采用TO-220或TO-263形式，具有良好散热性能，可通过加装散热片进一步提升功率处理能力。

应用

UTT75N08广泛应用于多种高效率、高功率密度的电力电子系统中。在DC-DC转换器中，它常被用作主开关管或同步整流管，凭借其低导通电阻和快速开关特性，显著提升了转换效率，尤其是在降压（Buck）拓扑结构中表现突出。由于其高电流处理能力，该器件也非常适合用于电机驱动电路，无论是直流电机还是步进电机的H桥驱动，都能提供稳定的电流输出与快速响应。在电源管理系统中，UTT75N08可用作负载开关或热插拔控制器中的功率开关元件，实现对电源通断的精确控制。
　　在消费类电子产品中，如笔记本电脑适配器、LED驱动电源、智能家电控制模块等，UTT75N08因其高效节能的特点而受到青睐。在工业自动化领域，该器件可用于PLC输出模块、继电器替代方案以及工业电源单元中，提供可靠的功率切换功能。此外，在通信设备的电源模块中，UTT75N08也常作为关键功率器件使用，保障系统长时间稳定运行。由于其具备较强的抗干扰能力和热稳定性，也可应用于汽车电子系统中的非安全关键类电源管理部分，例如车载充电器、风扇控制或灯光调节电路。
　　值得一提的是，UTT75N08还可用于逆变器和UPS（不间断电源）系统中，作为功率级开关元件之一。其快速开关能力和低损耗特性有助于提高逆变效率，减少发热问题。对于需要紧凑设计和高效散热的嵌入式系统，选择TO-263表面贴装版本可以简化PCB布局并提升组装自动化程度。总之，UTT75N08是一款通用性强、性能优越的N沟道MOSFET，适用于从消费级到工业级的广泛功率应用领域。