时间：2025/6/21 10:52:35
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SI2314DS 是一款由 Vishay 生产的 N 沟道增强型 MOSFET。该器件采用小尺寸封装，具有低导通电阻和高开关速度的特点，适用于各种功率管理应用。其封装类型为 DS (DualSlim) 平面贴片式封装，非常适合高密度 PCB 布局。
该芯片广泛用于负载切换、电机驱动、DC-DC 转换器以及其他需要高效功率控制的应用场景。
最大漏源电压：30V
连续漏极电流：8.6A
导通电阻：7mΩ
栅极电荷：19nC
工作温度范围：-55℃ 至 +175℃
封装类型：DS (DualSlim)
功耗：1.9W
SI2314DS 具有超低导通电阻（7mΩ），能够显著减少功率损耗并提高系统效率。同时，其快速开关性能确保了在高频应用中的出色表现。
该器件还具备出色的热稳定性，能够在极端温度条件下可靠运行。此外，其坚固的设计使得它可以在高噪声环境下保持稳定的工作状态。
由于采用了先进的制造工艺，SI2314DS 的寄生电容和电感都非常低，从而减少了开关瞬态对系统的影响。
该 MOSFET 可应用于以下领域：
- 开关电源（如 AC-DC 和 DC-DC 转换器）
- 电池保护电路
- 电机驱动和控制
- 固态继电器
- 各类负载开关
- 多种便携式设备的功率管理模块
它的紧凑设计使其特别适合空间受限的应用环境。
SI2308DS, SI2304DS, FDP5570N
