时间：2025/12/27 9:00:55
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UTT75N03是一款由优特半导体（UTT Semiconductor）推出的N沟道增强型功率MOSFET，广泛应用于电源管理、DC-DC转换器、电机驱动以及负载开关等高效率开关场景。该器件采用先进的沟槽栅极技术制造，能够在低电压应用中实现极低的导通电阻和优异的开关性能，从而显著降低系统功耗并提升整体能效。UTT75N03特别适用于需要大电流处理能力且对热性能有较高要求的应用场合。其封装形式通常为TO-220、TO-252（DPAK）或TO-263（D2PAK），具备良好的散热能力和可靠性，适合工业级工作环境。
该MOSFET设计用于30V的漏源击穿电压（VDS），连续漏极电流可达75A，脉冲电流能力更高，使其在中低电压、大电流开关电源中表现出色。凭借其低栅极电荷（Qg）和低输入电容特性，UTT75N03能够快速开启与关断，减少开关损耗，提高系统工作效率。此外，该器件具有较低的跨导（Gain）和稳定的阈值电压，确保在各种工作条件下都能保持可靠的控制响应。
型号：UTT75N03
类型：N沟道MOSFET
漏源电压（VDS）：30V
栅源电压（VGS）：±20V
连续漏极电流（ID @ 25°C）：75A
脉冲漏极电流（IDM）：300A
导通电阻（RDS(on) max @ VGS = 10V）：3.3mΩ
导通电阻（RDS(on) max @ VGS = 4.5V）：4.8mΩ
阈值电压（VGS(th) typ）：1.5V
栅极电荷（Qg typ）：45nC
输入电容（Ciss typ）：3800pF
工作结温范围（Tj）：-55°C 至 +175°C
封装形式：TO-220 / TO-252 / TO-263
UTT75N03采用了先进的沟槽型MOSFET工艺，在结构上优化了载流子迁移路径，有效降低了导通电阻RDS(on)，从而大幅减少了在大电流工作状态下的导通损耗。这种低RDS(on)特性对于电池供电设备和高效电源系统至关重要，因为它直接关系到系统的发热水平和能量利用率。在VGS=10V时，最大导通电阻仅为3.3mΩ，意味着即使通过数十安培的大电流，器件上的压降也非常小，有助于提升系统效率并简化散热设计。同时，在4.5V逻辑电平驱动下仍能保持低于4.8mΩ的导通电阻，说明其兼容低压控制信号，可用于由微控制器直接驱动的应用场景。
该器件具备出色的开关性能，得益于其较低的栅极电荷（Qg约45nC）和输入电容（Ciss约3800pF），使得在高频PWM调制环境下也能实现快速开启与关断，减少过渡过程中的能量损耗。这对于现代开关电源、同步整流电路以及电机驱动器尤为重要，因为这些应用往往运行在几十kHz到数百kHz频率范围内，对开关速度和动态响应有严格要求。此外，UTT75N03拥有良好的雪崩耐受能力和抗短路能力，增强了在异常工况下的鲁棒性。其宽泛的工作结温范围（-55°C至+175°C）保证了在极端温度环境中依然稳定可靠，适用于工业自动化、汽车电子外围电路及户外设备等严苛环境。
UTT75N03还具备优良的热稳定性与长期可靠性。内部芯片通过优化金属化层厚度与焊线工艺，提升了电流承载能力与热循环寿命。标准封装如TO-220、TO-252和TO-263均具有较强的散热能力，可通过外接散热片进一步降低热阻，延长器件使用寿命。所有参数均经过高温反向偏置测试（HTRB）、高温栅极偏置测试（HTGB）等多项可靠性验证，符合工业级质量标准。此外，该器件无铅环保，符合RoHS指令要求，适合绿色电子产品制造。
UTT75N03广泛应用于各类中低电压大电流功率切换与电源管理系统中。典型应用场景包括：高效DC-DC降压变换器（Buck Converter），其中作为主开关管或同步整流管使用，利用其低导通电阻和快速开关特性来提升转换效率；电池供电系统中的电源开关与保护电路，例如便携式设备、电动工具和储能系统，用于控制电池充放电通路；电机驱动模块，尤其是在直流无刷电机（BLDC）或步进电机的H桥驱动中作为功率开关元件，提供高电流输出能力与快速响应；此外还可用于逆变电源、UPS不间断电源、LED恒流驱动电源以及工业控制板上的负载开关与热插拔保护电路。由于其支持逻辑电平驱动，也常被用于单片机或DSP直接控制的大功率接口电路中，替代传统继电器或双极性晶体管，实现更紧凑、高效的系统设计。
UTT75N03-H
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