您好,欢迎来到维库电子市场网 登录 | 免费注册

您所在的位置:电子元器件采购网 > IC百科 > HUFA76609D3ST

HUFA76609D3ST 发布时间 时间:2025/6/24 15:52:05 查看 阅读:8

HUFA76609D3ST是一款高压MOSFET功率晶体管,主要用于开关电源、电机驱动和DC-DC转换器等应用。该器件采用了先进的制造工艺,具有高耐压、低导通电阻和快速开关特性,能够有效提高系统的效率和可靠性。
  这款晶体管适用于需要高效率和高可靠性的电力电子应用,其封装形式为TO-220,便于散热设计和安装。

参数

最大漏源电压:760V
  连续漏极电流:9A
  导通电阻:1.4Ω
  栅极电荷:85nC
  开关时间:ton=45ns, toff=75ns
  工作结温范围:-55℃至+150℃

特性

HUFA76609D3ST具备以下关键特性:
  1. 高耐压能力(760V),适合多种高压应用场景。
  2. 低导通电阻(1.4Ω),有助于降低传导损耗。
  3. 快速的开关速度,能够减少开关损耗并提升系统效率。
  4. 具备优秀的雪崩能力和抗静电性能,确保在恶劣环境下也能稳定工作。
  5. 封装形式为标准TO-220,提供良好的散热性能和机械强度。

应用

该晶体管广泛应用于各种电力电子领域,包括但不限于以下场景:
  1. 开关电源(SMPS)中的主开关管。
  2. DC-DC转换器中的高频开关元件。
  3. 电机驱动电路中的功率控制单元。
  4. 能量回收系统中的功率调节模块。
  5. 各类工业设备中的功率管理组件。

替代型号

IRFP460, STP76N10L5, FQA16N75C

HUFA76609D3ST推荐供应商 更多>

  • 产品型号
  • 供应商
  • 数量
  • 厂商
  • 封装/批号
  • 询价

HUFA76609D3ST资料 更多>

  • 型号
  • 描述
  • 品牌
  • 阅览下载

HUFA76609D3ST参数

  • 标准包装2,500
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭FET - 单
  • 系列UltraFET™
  • FET 型MOSFET N 通道,金属氧化物
  • FET 特点逻辑电平门
  • 漏极至源极电压(Vdss)100V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C10A
  • 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C160 毫欧 @ 10A,10V
  • Id 时的 Vgs(th)(最大)3V @ 250µA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs16nC @ 10V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds425pF @ 25V
  • 功率 - 最大49W
  • 安装类型表面贴装
  • 封装/外壳TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63
  • 供应商设备封装D-Pak
  • 包装带卷 (TR)
  • 其它名称HUFA76609D3ST-NDHUFA76609D3STTR