时间：2025/5/14 16:50:01
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8N60是一款高压大功率的N沟道增强型垂直栅场效应晶体管（MOSFET），主要应用于开关电源、逆变器、DC-DC转换器等高电压场景。它具有较低的导通电阻和较高的击穿电压，能够满足工业和消费电子领域的多种需求。
该器件采用TO-220封装形式，具备良好的散热性能，适用于需要高效能和低损耗的电路设计。
最大漏源电压：600V
最大栅源电压：±20V
最大漏极电流：8A
漏源导通电阻：4.2Ω
总功耗：125W
结温范围：-55℃至+150℃
8N60具有以下特点：
1. 高耐压能力，适合在高压环境下工作。
2. 较低的导通电阻，减少能量损耗并提高效率。
3. 快速开关速度，可以有效降低开关损耗。
4. 增强型结构设计，确保其只有在栅极施加正向偏置时才会导通。
5. TO-220封装提供优秀的散热性能，便于安装和使用。
6. 良好的热稳定性和可靠性，可长期在高温条件下运行。
8N60广泛应用于各类高压电力电子设备中，包括但不限于以下领域：
1. 开关电源和适配器。
2. DC-DC转换器及升压、降压电路。
3. 电机驱动与控制电路。
4. 逆变器和不间断电源（UPS）系统。
5. 各类工业自动化设备中的功率开关模块。
IRF840, K1008, STP8NB60Z
