时间：2025/8/2 6:44:07
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PPM6N20V10是一款功率MOSFET器件，常用于电源管理和开关电路中。该器件具备高性能和可靠性，适用于多种电子设备。
类型：功率MOSFET
最大漏源电压(Vds)：200V
最大漏极电流(Id)：6A
导通电阻(Rds(on))：典型值为0.45Ω
栅极电荷(Qg)：典型值为15nC
封装类型：TO-220
PPM6N20V10具有低导通电阻，能够有效减少导通损耗，提高系统效率。此外，该器件具备良好的热稳定性和高可靠性，适用于各种严苛的工作环境。其栅极电荷较低，有助于提高开关速度，减少开关损耗。该MOSFET还具备较强的过载能力和短路保护能力，确保系统在异常情况下的安全运行。
该器件的封装形式为TO-220，便于安装和散热，适用于高功率应用。TO-220封装具有良好的散热性能，能够有效降低器件的工作温度，延长使用寿命。此外，PPM6N20V10的制造工艺先进，确保了器件的一致性和稳定性，适用于批量生产和高可靠性要求的应用场景。
PPM6N20V10广泛应用于电源管理、DC-DC转换器、电机驱动、逆变器、充电器、UPS系统、工业自动化设备以及各种高功率电子设备中。其优异的性能和可靠性使其成为这些应用中的理想选择，能够有效提高系统的效率和稳定性。
IRF640N, FDP6N20
