UMD12NGTR 是一款基于硅技术的双通道 MOSFET 功率晶体管,采用 TO-252 封装形式。该器件主要用于开关电源、电机驱动、负载开关以及其他需要高效功率转换的应用场景。
该器件具有较低的导通电阻和良好的热性能,适合在高效率和高功率密度的设计中使用。
型号:UMD12NGTR
封装:TO-252
Vds(漏源电压):60V
Rds(on)(导通电阻):40mΩ
Id(连续漏极电流):12A
Pd(总功耗):1.5W
工作温度范围:-55℃ 至 +175℃
fT(特征频率):3.9MHz
UMD12NGTR 的主要特性包括:
1. 极低的导通电阻(Rds(on)),有助于降低传导损耗,提高系统效率。
2. 较高的漏源电压(Vds)和连续漏极电流(Id),能够支持多种功率应用。
3. 良好的热稳定性,即使在极端温度条件下也能保持性能。
4. 快速开关能力,支持高频操作,减少开关损耗。
5. 高度可靠的 TO-252 封装设计,便于表面贴装并提供良好的电气连接和散热性能。
该器件广泛应用于以下领域:
1. 开关模式电源(SMPS)中的功率转换。
2. 各种电机驱动电路,如直流无刷电机控制。
3. 汽车电子设备中的负载切换和保护。
4. 工业自动化设备中的功率管理模块。
5. 家用电器及消费类电子产品中的负载控制与电源管理。
IRLZ44N, FDC6580P, AO3400A