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UMD12NGTR 发布时间 时间:2025/7/11 19:41:26 查看 阅读:6

UMD12NGTR 是一款基于硅技术的双通道 MOSFET 功率晶体管,采用 TO-252 封装形式。该器件主要用于开关电源、电机驱动、负载开关以及其他需要高效功率转换的应用场景。
  该器件具有较低的导通电阻和良好的热性能,适合在高效率和高功率密度的设计中使用。

参数

型号:UMD12NGTR
  封装:TO-252
  Vds(漏源电压):60V
  Rds(on)(导通电阻):40mΩ
  Id(连续漏极电流):12A
  Pd(总功耗):1.5W
  工作温度范围:-55℃ 至 +175℃
  fT(特征频率):3.9MHz

特性

UMD12NGTR 的主要特性包括:
  1. 极低的导通电阻(Rds(on)),有助于降低传导损耗,提高系统效率。
  2. 较高的漏源电压(Vds)和连续漏极电流(Id),能够支持多种功率应用。
  3. 良好的热稳定性,即使在极端温度条件下也能保持性能。
  4. 快速开关能力,支持高频操作,减少开关损耗。
  5. 高度可靠的 TO-252 封装设计,便于表面贴装并提供良好的电气连接和散热性能。

应用

该器件广泛应用于以下领域:
  1. 开关模式电源(SMPS)中的功率转换。
  2. 各种电机驱动电路,如直流无刷电机控制。
  3. 汽车电子设备中的负载切换和保护。
  4. 工业自动化设备中的功率管理模块。
  5. 家用电器及消费类电子产品中的负载控制与电源管理。

替代型号

IRLZ44N, FDC6580P, AO3400A

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