时间：2025/12/27 8:09:19
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UTT60P03L是一款由优特半导体（UTC Semiconductor）推出的P沟道增强型MOS场效应晶体管，广泛应用于电源管理、开关控制及负载驱动等场景。该器件采用先进的沟槽式工艺技术制造，具有低导通电阻、高开关速度和良好的热稳定性等特点，适用于高效率的DC-DC转换器、电池供电设备以及各类便携式电子产品中的功率开关应用。UTT60P03L封装形式为TO-252（DPAK），便于在印刷电路板上进行安装与散热处理，适合中等功率水平下的应用需求。该MOSFET设计用于在低电压条件下实现高效的功率控制，能够有效降低系统功耗并提升整体能效。其P沟道结构使其在高端开关应用中无需额外的驱动电路即可实现简洁的设计方案，是许多工业控制、消费电子和通信设备中的理想选择。此外，UTT60P03L具备良好的抗雪崩能力和可靠的栅极氧化层设计，能够在瞬态负载变化或异常工作条件下保持稳定运行。
型号：UTT60P03L
类型：P沟道增强型MOSFET
最大漏源电压(VDS)：-30V
最大栅源电压(VGS)：±20V
最大连续漏极电流(ID)：-60A（@Tc=25℃）
最大脉冲漏极电流(IDM)：-240A
最大功耗(PD)：250W（@Tc=25℃）
导通电阻(RDS(on))：1.8mΩ（@VGS=-10V, ID=-30A）
阈值电压(Vth)：-1.5V ~ -2.5V
输入电容(Ciss)：5600pF（@VDS=-15V, VGS=0V）
输出电容(Coss)：1950pF（@VDS=-15V, VGS=0V）
反向恢复时间(trr)：30ns
工作结温范围(Tj)：-55℃ ~ +150℃
封装形式：TO-252(DPAK)
