时间：2025/12/27 8:33:46
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UTT25P10G-TN3-R是一款由United Silicon Carbide（UnitedSiC，现属于Qorvo）推出的高性能碳化硅（SiC）功率MOSFET器件。该器件采用先进的SiC沟槽栅技术制造，具备优异的开关性能和导通特性，适用于高效率、高频率和高温工作环境下的电力电子应用。作为一款P沟道增强型MOSFET，UTT25P10G-TN3-R在100V额定电压下可提供高达25A的连续漏极电流，适用于需要快速响应和低损耗的电源转换系统。该器件封装于高性能、低电感且热性能优越的TOLL（TO-263-7L）封装中，便于实现紧凑型设计并提升系统功率密度。由于其基于SiC材料的物理优势，该MOSFET相比传统硅基MOSFET具有更低的导通电阻（RDS(on)）、更小的反向恢复电荷（Qrr），以及更高的热导率，从而显著降低系统中的传导与开关损耗，提高整体能效。此外，该器件支持并联使用，并具备良好的抗雪崩能力和坚固的栅极氧化层设计，提升了系统可靠性。UTT25P10G-TN3-R广泛应用于电动汽车车载充电机（OBC）、DC-DC转换器、工业电源、太阳能逆变器、储能系统以及服务器电源等高端电力电子领域。
类型：P沟道增强型MOSFET
材料：碳化硅（SiC）
漏源电压（VDS）：100 V
连续漏极电流（ID @ 25°C）：25 A
脉冲漏极电流（IDM）：75 A
导通电阻（RDS(on) @ VGS = -10V, 25°C）：10 mΩ
栅极阈值电压（VGS(th)）：-3.0 V（典型值）
输入电容（Ciss）：4200 pF
输出电容（Coss）：1400 pF
反向恢复电荷（Qrr）：< 5 nC
最大结温（Tj）：175 °C
封装类型：TOLL (TO-263-7L)
安装方式：表面贴装
工作温度范围：-55 °C 至 +175 °C
UTT25P10G-TN3-R采用碳化硅沟槽栅MOSFET技术，实现了极低的导通电阻与优异的开关性能结合。其10mΩ的超低RDS(on)在同类P沟道器件中处于领先水平，显著降低了在高电流条件下的导通损耗，特别适合用于大功率DC-DC变换器和同步整流拓扑中。相较于传统的硅基P-MOSFET，该器件在相同尺寸下可承载更高电流，并具备更快的开关速度，同时避免了因体二极管反向恢复引起的额外损耗问题。SiC材料本身的宽禁带特性使其能够在高达175°C的结温下稳定运行，增强了器件在高温环境中的可靠性。此外，该器件具有较低的门极电荷（Qg）和米勒电荷（Qgd），有助于减少驱动损耗并提升高频工作的稳定性。TOLL封装不仅提供了优良的散热路径，还通过优化引脚布局降低了寄生电感，从而抑制了开关过程中的电压振铃现象，提高了EMI性能。该器件对雪崩能量具有较强的耐受能力，符合工业级可靠性标准，适合在严苛工况下长期运行。值得一提的是，UTT25P10G-TN3-R支持多器件并联操作而无需复杂的均流电路，得益于其正温度系数的导通电阻特性，使得电流自然均衡分布，简化了热管理设计。
该器件还具备良好的抗短路能力，并在栅极设计上采用了加固型绝缘层工艺，防止因过压或静电放电（ESD）导致的损坏。其负偏置驱动要求（通常为-10V至0V）确保了增强型P沟道结构的可靠关断与开启控制，适用于数字控制器或专用栅极驱动IC配合使用的场景。整体而言，UTT25P10G-TN3-R将碳化硅材料的优势与先进封装技术相结合，为现代高效能电源系统提供了高可靠、高效率的解决方案。
UTT25P10G-TN3-R主要应用于对效率、功率密度和热管理有严格要求的中高功率电力电子系统。典型应用包括电动汽车的车载充电机（OBC）和DC-DC转换器，在这些系统中，该器件可用于高压侧开关或同步整流单元，利用其低导通电阻和快速开关特性提升整体能效。在工业电源领域，该MOSFET适用于高效率服务器电源、电信整流器和UPS不间断电源系统，尤其是在图腾柱无桥PFC（功率因数校正）拓扑中表现出色。由于其P沟道特性，它也可用于高端驱动配置中，简化驱动电路设计。在可再生能源系统如光伏微逆变器和储能变流器中，UTT25P10G-TN3-R能够有效降低能量转换损耗，提高系统输出效率。此外，该器件还可用于电机驱动、医疗电源以及需要宽温度范围工作的军事与航空航天电源模块。其高结温和优异的热稳定性使其非常适合密闭空间或风冷受限的应用场景。得益于TOLL封装的小型化和良好热性能，该器件也适用于追求小型化和轻量化的便携式高功率设备电源设计。
UTT30P10G-TN3-R
UTT20P10G-TN3-R
