容量：256K x 16位
　　电压：5V工作电压
　　封装类型：TSOP（Thin Small Outline Package）
　　引脚数：54
　　工作温度范围：工业级（-40°C至+85°C）
　　最大访问时间：20ns
　　刷新周期：64ms
　　数据保持电压：2V（最小）

HM530281TT20具备高速访问特性，最大访问时间为20ns，能够满足对性能要求较高的应用需求。该芯片采用低功耗设计，在保持高性能的同时，减少了系统整体的能耗。其TSOP封装形式使得芯片更加紧凑，适合在空间受限的电路板上使用。此外，HM530281TT20具有良好的稳定性和可靠性，能够在工业级温度范围内稳定运行，适用于各种严苛的工作环境。该芯片还支持多种刷新模式，包括自动刷新和自刷新模式，以确保数据的完整性和可靠性。
　　 HM530281TT20的接口兼容性较强，支持标准的DRAM控制信号，便于与主控芯片进行连接和通信。其数据输出驱动能力可调节，能够适应不同的系统设计需求。同时，该芯片具备低待机电流特性，在系统处于待机状态时，可以显著降低功耗，延长设备的电池续航时间。对于需要高可靠性的应用场景，HM530281TT20的错误率极低，能够在长时间运行过程中保持稳定的数据读写性能。

该芯片广泛应用于需要高性能DRAM存储的设备中，如工业控制计算机、嵌入式系统、通信基站、网络设备、视频采集与处理系统等。其高速存取能力和低功耗特性使其在便携式设备和远程监控设备中也得到了广泛应用。此外，HM530281TT20还可用于需要大量数据缓存的场景，如图像处理、音频流缓存、实时数据采集与处理等领域。

IS61LV25616-20TLI、CY7C199-20VC、IDT71V124SA20PF、A612-20DC