时间：2025/9/6 15:02:43
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HM5118160BLTT-7是一款由Hynix（现为SK Hynix）制造的静态随机存取存储器（SRAM）芯片。该芯片设计用于需要高速数据访问和可靠存储性能的应用场景，适用于工业控制、通信设备和高端消费电子产品等。这款SRAM采用先进的CMOS工艺制造，以低功耗和高速性能为特点，适用于需要稳定数据存储和快速访问的应用环境。
容量：256K x 16位
电源电压：3.3V
存取时间：7ns
封装类型：TSOP
工作温度范围：工业级（-40°C至+85°C）
数据保持电压：2.0V至3.6V
输入/输出电平：CMOS兼容
最大工作频率：143MHz
封装尺寸：54引脚
HM5118160BLTT-7 SRAM芯片具有高速存取时间和低功耗设计，使其在高性能系统中表现优异。其采用的CMOS技术不仅确保了低功耗运行，还提高了抗干扰能力并减少了数据丢失的风险。该芯片支持异步操作，适用于需要灵活数据管理的系统架构。此外，其宽温度范围和高可靠性使其能够在严苛的工业环境中稳定工作。
在数据完整性方面，该芯片提供数据保持功能，确保在低电压或断电情况下关键数据不会丢失。其TSOP封装设计有助于提高电路板布局的紧凑性，同时降低了电磁干扰（EMI）的影响。这使得HM5118160BLTT-7非常适合用于高速缓存、网络设备缓冲存储器以及需要高性能存储的嵌入式系统中。
HM5118160BLTT-7 SRAM芯片广泛应用于工业控制设备、通信基础设施（如路由器和交换机）、测试仪器、汽车电子系统以及高端消费电子产品。其高速性能和低功耗特性也使其适用于需要快速数据处理和稳定存储的嵌入式系统和实时控制系统。此外，该芯片常用于需要大容量缓存的微处理器或微控制器系统中，以提升整体系统性能。
CY62167VLL-70SNXC, IDT71V416S08YG, IS61LV25616-7TLI
