时间：2025/6/25 11:22:05
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TF15N10是一款N沟道增强型MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），广泛应用于开关电源、电机驱动、DC-DC转换器等领域。该器件具有低导通电阻和快速开关特性，适合中等功率应用。其电压等级为100V，能够满足多种工业和消费类电子产品的设计需求。
最大漏源电压：100V
连续漏极电流：8A
导通电阻：0.15Ω
栅极电荷：35nC
总电容（输入电容）：560pF
工作温度范围：-55℃至+150℃
封装形式：TO-220
TF15N10的主要特点是其低导通电阻，这有助于减少导通状态下的功率损耗，提高整体效率。同时，它具备快速的开关速度，可以降低开关损耗。
此外，该MOSFET能够在较宽的工作温度范围内稳定运行，确保在恶劣环境下的可靠性。其采用的TO-220封装形式，提供良好的散热性能，适用于高功率密度的设计场景。
由于其较高的雪崩击穿能力，TF15N10在瞬态电压尖峰条件下也表现出色，进一步增强了系统的鲁棒性。
这款MOSFET非常适合用于开关模式电源（SMPS）、直流电机控制、LED驱动器以及负载开关等应用场景。
在开关电源领域，它可以作为主开关管或同步整流管，提供高效的能量转换。
对于电机驱动，TF15N10能够承受较大的电流波动，并且其快速的开关特性可以减少电磁干扰（EMI）。此外，在电池管理系统（BMS）中，它也可用作保护开关或均衡电路中的关键元件。
IRFZ44N
FQP17N10
STP10NK60Z
