型号：UTT15N10M-Q
　　类型：N沟道增强型MOSFET
　　封装：TO-252 (D-Pak)
　　极性：N-Channel
　　漏源电压VDS：100 V
　　栅源电压VGS：±20 V
　　连续漏极电流ID（@25℃）：15 A
　　脉冲漏极电流IDM：60 A
　　导通电阻RDS(on)（max @ VGS=10V）：95 mΩ
　　导通电阻RDS(on)（max @ VGS=4.5V）：135 mΩ
　　阈值电压VGS(th)：2.0 ~ 4.0 V
　　输入电容Ciss：1400 pF
　　输出电荷Qg（@10V）：38 nC
　　工作温度范围：-55℃ ~ +175℃
　　热阻RθJC：1.5 ℃/W
　　安装方式：表面贴装
　　认证标准：AEC-Q101

UTT15N10M-Q采用先进的沟槽式MOSFET制造工艺，具备出色的导通性能和开关响应特性。其最大漏源电压为100V，能够在中高压直流电源系统中安全运行，适用于各类DC-DC升压、降压及同步整流电路。在VGS=10V条件下，RDS(on)典型值低至95mΩ，显著降低了导通状态下的功率损耗，提高了系统的整体能效。即使在较低的栅极驱动电压（如4.5V）下，其RDS(on)仍可保持在135mΩ以内，展现出优异的低电压驱动能力，兼容3.3V或5V逻辑电平控制信号，适用于由微控制器或专用驱动IC直接驱动的应用场合。
　　该器件具有较低的栅极电荷（Qg=38nC）和输入电容（Ciss=1400pF），有助于减少开关过程中的驱动损耗和延迟时间，从而实现更高的开关频率操作，适用于高频开关电源设计。同时，其体二极管具有较快的反向恢复特性，能够有效降低在感性负载切换时产生的电压尖峰和能量损耗，提升系统稳定性。器件内部结构经过优化，具备良好的热分布特性和抗热失控能力，在长时间高负载运行下仍能维持稳定性能。
　　作为车规级产品，UTT15N10M-Q通过AEC-Q101可靠性测试标准，涵盖高温反偏、温度循环、机械冲击等多项严苛试验，确保其在汽车电子环境中长期可靠运行。其工作结温范围可达+175℃，支持极端环境下的应用需求。TO-252封装提供了良好的散热路径，配合PCB上的铜箔散热设计，可有效将芯片热量传导至外部环境，避免局部过热导致性能下降或失效。此外，该器件具备较强的抗雪崩能量能力，能够在瞬间过压或短路事件中吸收一定的能量而不发生永久性损坏，增强了系统鲁棒性。综合来看，UTT15N10M-Q在性能、可靠性与成本之间实现了良好平衡，是现代高效率功率转换系统的优选器件之一。

UTT15N10M-Q广泛应用于需要高效、可靠功率开关的各种电子系统中。典型应用包括车载电源系统，如DC-DC转换器、车载充电器、LED车灯驱动模块等，得益于其AEC-Q101认证和宽温工作能力，特别适合在复杂电磁环境和剧烈温度变化的汽车环境中使用。在工业控制领域，可用于电机驱动电路、继电器替代、电源管理单元及逆变器模块中，实现对负载的快速通断控制。在消费类电子产品中，常用于笔记本电脑适配器、智能家电电源板、USB-PD快充模块等高能效电源设计。
　　此外，该器件也适用于通信设备中的隔离式电源模块、服务器电源单元以及分布式电源架构中的中间总线转换器（IBC）。在新能源领域，如太阳能微型逆变器、储能系统中的功率调节单元，UTT15N10M-Q也能发挥其低损耗、高可靠性的优势。由于其支持表面贴装工艺，有利于自动化生产，提高组装效率并降低制造成本，因此在大批量生产的电子产品中具有广泛应用前景。

[
　　 "UTD15N10M-Q",
　　 "AOZ15N100P",
　　 "STL15N10F7",
　　 "FQP15N10",
　　 "IRF15N10LPBF"
　　]