型号：UTT15N10
　　类型：N沟道增强型MOSFET
　　最大漏源电压（VDS）：100V
　　最大栅源电压（VGS）：±20V
　　连续漏极电流（ID）：15A @ 25℃
　　脉冲漏极电流（IDM）：60A
　　导通电阻（RDS(on)）：≤0.075Ω @ VGS=10V, ID=7.5A
　　阈值电压（VGS(th)）：2.0V ~ 4.0V
　　栅极电荷（Qg）：约38nC @ VDS=80V, ID=15A
　　输入电容（Ciss）：约1050pF @ VDS=50V, VGS=0V
　　输出电容（Coss）：约280pF
　　反向恢复时间（trr）：未集成快恢复二极管，体二极管典型trr约为100ns
　　工作结温范围（Tj）：-55℃ ~ +150℃
　　存储温度范围（Tstg）：-55℃ ~ +150℃
　　封装形式：TO-220 / TO-252
　　安装方式：通孔或表面贴装

UTT15N10具备优异的电气性能和热稳定性，其核心优势在于低导通电阻与高电流承载能力的结合。该器件的RDS(on)典型值低于75mΩ，在VGS=10V条件下能够显著降低导通损耗，提升电源转换效率。这一特性使其非常适合用于DC-DC转换器、开关电源（SMPS）、逆变器以及电池管理系统中的主开关元件。同时，由于其最大漏源电压达到100V，能够在12V至48V的常见工业与消费类电源系统中安全可靠地运行。
　　该MOSFET采用了先进的平面工艺技术，确保了批次间的一致性与长期使用的可靠性。其栅极结构经过优化设计，具有较低的输入电容（Ciss）和栅极电荷（Qg），这不仅降低了驱动电路的能量消耗，还加快了开关响应速度，减少了开关过程中的交越损耗。这对于高频开关应用尤为重要，例如在PWM调光、电机驱动或同步整流电路中表现尤为突出。
　　此外，UTT15N10内置的体二极管虽然不是专门的快恢复二极管，但具备一定的反向恢复能力，可在感性负载关断时提供续流路径，避免电压尖峰对器件造成损害。然而，在高频率或大电流切换场合，仍建议外接肖特基二极管以进一步改善效率和可靠性。
　　从热管理角度看，该器件的最大结温可达150℃，配合适当的PCB布局和散热措施（如加装散热片或使用厚铜层PCB），可有效延长使用寿命并防止热失效。TO-220封装提供了良好的热传导路径，而TO-252则更适合空间受限的表面贴装应用。
　　总体而言，UTT15N10以其均衡的性能指标、稳定的供货渠道和合理的价格，成为众多中功率开关应用中的主流选择之一。

UTT15N10广泛应用于多种中等功率电子系统中，尤其适用于需要高效开关控制的场合。典型应用包括开关模式电源（SMPS），如AC-DC适配器、DC-DC降压/升压转换器，在这些电路中作为主开关管或同步整流管使用，利用其低RDS(on)特性来降低导通损耗，提高整体能效。此外，它也被用于电机驱动电路，例如小型直流电机、步进电机的H桥驱动模块中，承担电流切换功能，实现正反转与调速控制。
　　在电池供电设备中，如电动工具、便携式照明系统和UPS不间断电源中，UTT15N10可用于电池充放电管理电路或负载开关，凭借其高电流承载能力和快速响应特性，保障系统的稳定运行。同时，该器件还可用于逆变器系统中的功率级开关，将直流电转换为交流输出，适用于太阳能微逆变器或车载逆变器等场景。
　　工业控制领域也是其重要应用方向，例如PLC输出模块、继电器替代电路（固态开关）以及电磁阀驱动等，利用其无触点、长寿命的优势取代传统机械开关。此外，在LED驱动电源中，UTT15N10可用于恒流控制回路中的开关元件，支持PWM调光功能。
　　由于其封装形式兼容性强，TO-220适用于通用测试板和中小批量生产，而TO-252则更适合自动化贴片生产线，因此在消费类电子产品、家电控制板、电源模块等领域也有广泛应用。

FQP15N10, STP15NF10, IRFZ44N, GSP15N10, UTC15N10