时间：2025/5/24 9:42:16
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FPF1504BUCX 是一款基于硅技术的 N 沟道增强型功率 MOSFET，专为需要高效率和低导通电阻的应用设计。该器件采用紧凑型 U-DFN32 封装，适用于空间受限的设计场景。
其出色的开关特性和低 Rds(on) 特性使其非常适合在便携式设备、计算机外设以及消费类电子产品的电源管理电路中使用。
最大漏源电压：30V
连续漏极电流：4.8A
导通电阻（Rds(on)）：6mΩ
栅极电荷：9nC
功耗：2.4W
工作温度范围：-55℃ 至 +150℃
FPF1504BUCX 提供了非常低的导通电阻 (Rds(on))，从而显著减少了传导损耗并提升了系统效率。
其优化的栅极电荷使得开关损耗降低，在高频应用中表现尤为突出。
此外，U-DFN32 封装具备出色的散热性能，能够有效支持更高的负载电流。
由于采用了无铅封装材料，该产品符合环保法规要求，是绿色设计的理想选择。
FPF1504BUCX 广泛应用于 DC-DC 转换器、负载开关、电机驱动器、电池保护电路等场合。
它特别适合于移动设备中的电源管理模块，如智能手机、平板电脑及可穿戴设备。
此外，该 MOSFET 还能用于计算机外设中的同步整流电路以及工业控制系统的电源部分。
FPF1504BUTX, FPF1504BLCX
