型号：UTT100N75HL
　　类型：N沟道增强型MOSFET
　　封装：TO-247
　　漏源电压（Vds）：750V
　　栅源电压（Vgs）：±30V
　　连续漏极电流（Id）：100A
　　脉冲漏极电流（Idm）：400A
　　导通电阻（Rds(on)）：典型值65mΩ @ Vgs=10V
　　栅极阈值电压（Vth）：2.0V ~ 4.0V
　　输入电容（Ciss）：典型值4500pF
　　输出电容（Coss）：典型值1100pF
　　反向恢复时间（trr）：典型值45ns
　　最大工作结温（Tj）：175°C
　　热阻（Rth j-a）：62°C/W
　　热阻（Rth j-c）：0.8°C/W

UTT100N75HL采用超结（Super Junction）结构，显著降低了传统高压MOSFET中存在的“硅极限”问题，在保持高击穿电压的同时大幅减小了导通电阻（Rds(on)）。这种结构通过交替排列P型和N型柱状区域，实现电荷平衡，从而在漂移区获得更高的掺杂浓度和更薄的外延层，有效提升器件的品质因数（FOM = Rds(on) × Qg）。相较于传统平面或沟槽结构MOSFET，UTT100N75HL在相同耐压等级下实现了更低的导通损耗和开关损耗，特别适合高频、高效率电源设计。
　　该器件具备优异的动态性能，其栅极电荷（Qg）和米勒电荷（Qgd）经过优化设计，能够减少驱动损耗并提高开关速度。同时，较低的输出电容（Coss）有助于降低关断过程中的能量损耗，进一步提升系统效率。在硬开关应用中，如PFC升压开关管，UTT100N75HL能够承受较高的dV/dt应力而不发生误触发，表现出良好的噪声免疫能力。
　　UTT100N75HL还具备出色的热稳定性和长期可靠性。其最大结温可达175°C，支持在高温环境中长时间运行。内部键合工艺采用铜带连接，提升了电流承载能力和热循环寿命。此外，器件通过了严格的质量测试流程，包括高温反偏（HTRB）、高温栅极偏置（HTGB）和功率循环测试，确保在严苛工况下的稳定性。
　　该MOSFET对雪崩能量具有较强的承受能力，支持非钳位感性负载开关操作（UIS），可用于需要频繁启停或存在瞬态过载的应用场景。其体内二极管也经过优化，具备较快的反向恢复特性，减少了与之配对的续流二极管或同步整流管的换流应力，有利于提升系统EMI性能。整体而言，UTT100N75HL在高压、大电流、高频率应用场景中展现出卓越的综合性能。

UTT100N75HL广泛应用于各类高性能电源系统中，尤其适用于需要高效率和高功率密度的设计场景。在连续导通模式（CCM）和临界导通模式（CrM）功率因数校正（PFC）电路中，该器件可作为主开关管使用，凭借其低Rds(on)和高耐压特性，有效降低导通损耗并提升整体能效。在服务器电源、电信整流器和工业开关电源（SMPS）中，UTT100N75HL常用于LLC谐振变换器的初级侧开关，配合零电压开关（ZVS）技术实现极低的开关损耗，满足80 PLUS钛金等高能效标准。
　　在新能源领域，UTT100N75HL适用于光伏微型逆变器和组串式逆变器中的DC-DC升压级或H桥开关单元，其高可靠性和宽温度范围适应性确保系统在户外复杂环境下的长期稳定运行。在电动汽车车载充电机（OBC）和直流充电桩的辅助电源模块中，该器件同样表现出色，能够应对宽输入电压范围和频繁开关操作带来的挑战。
　　此外，UTT100N75HL也可用于高功率LED驱动电源、UPS不间断电源以及感应加热设备等工业应用。其TO-247封装便于安装散热器，适用于多管并联设计以满足更高电流需求。在图腾柱PFC拓扑中，该器件可作为高速桥臂开关，结合控制器实现超高效率（>98%）的能量转换。总之，UTT100N75HL凭借其高性能参数和高可靠性，已成为现代绿色能源与高效电力电子系统中的关键元器件之一。

UTT100N75H3
　　STW100N75HV
　　IXFH100N75X2
　　FCH100N75A