型号：TE28F008SA100
　　制造商：Toshiba
　　存储类型：NOR Flash
　　存储容量：8 Mbit (1 MB)
　　组织结构：512 K x 16 bits
　　供电电压：5V ± 10%
　　工作电流：典型值 20mA（读取模式）
　　待机电流：≤ 100μA
　　访问时间：100ns
　　接口类型：并行（x16）
　　封装形式：44-pin TSOP Type II
　　工作温度范围：-40°C 至 +85°C
　　编程电压：内部电荷泵生成，无需外部高压

TE28F008SA100作为一款经典的并行NOR Flash器件，具备多项关键特性，使其在嵌入式系统中广泛应用于程序存储和启动代码存放。首先，其100ns的快速访问时间确保了CPU可以直接从该芯片执行指令（XIP, eXecute In Place），从而显著提升系统启动速度和运行效率，特别适用于要求实时响应的工业控制系统和网络设备。该芯片采用5V单电源供电，内部集成电荷泵电路，在编程和擦除操作时可自动生成所需的高压，无需外部提供额外的Vpp编程电压，这不仅降低了系统设计复杂度，也减少了对外部电源管理电路的需求，提高了系统的整体可靠性。
　　其次，该器件支持字节和字两种数据宽度操作模式，允许系统在x8或x16总线架构下灵活配置，增强了与不同处理器平台的兼容性。其内部状态机支持自动编程和块擦除功能，主机只需发送命令序列即可完成写入或清除操作，减轻了主控MCU的处理负担。此外，TE28F008SA100具备软件数据保护机制，可通过特定的命令序列启用或禁用写操作，防止因误操作或异常复位导致的关键代码被意外修改或擦除，这对于保障系统固件完整性至关重要。
　　在可靠性方面，该芯片经过严格的老化测试和耐久性验证，典型情况下可支持10万次的擦写周期，并能保证数据保存时间长达10年以上。即使在工业级温度范围内长时间运行，也能维持稳定的性能表现。虽然其容量相对现代闪存较小，但正是由于结构简单、协议清晰、驱动易于实现，使得它在许多不需要大容量存储但强调稳定性和长期供货的领域仍然受到青睐。值得注意的是，随着半导体技术的发展，东芝已逐步将重点转向更高密度、更低功耗的串行NOR Flash产品，因此TE28F008SA100可能已被列入停产（End-of-Life）名单，建议新设计优先考虑功能兼容且持续供货的替代型号。

TE28F008SA100主要应用于需要可靠非易失性程序存储的嵌入式系统中。其典型应用场景包括工业自动化控制设备，如PLC（可编程逻辑控制器）、HMI（人机界面）终端和工业I/O模块，这些设备通常要求固件具备高稳定性和抗干扰能力，而该芯片的5V供电和强健的电气特性正好满足此类需求。在网络通信领域，该器件常用于路由器、交换机、DSL调制解调器等设备中存储引导程序（Bootloader）和操作系统映像，利用其XIP特性实现快速启动和高效运行。
　　此外，在消费类电子产品中，如打印机、复印机、POS终端和家用医疗设备，TE28F008SA100也被广泛采用作为主控MCU的外置程序存储器。由于这些设备往往需要长期稳定运行且不易频繁升级固件，因此对存储介质的耐久性和数据保持能力提出了较高要求，该芯片的表现尤为出色。
　　在汽车电子方面，尽管当前主流趋势是使用更高安全等级的闪存，但在部分车载信息娱乐系统、车身控制模块或后装市场设备中，仍可见到该型号的身影，尤其是在支持宽温工作的版本中。另外，由于其引脚定义和时序规范较为标准化，TE28F008SA100也常被用于教学实验平台、开发板和原型验证系统中，帮助工程师快速搭建最小系统并进行固件调试。
　　值得一提的是，由于该芯片采用并行接口，地址和数据线较多，占用PCB布线资源较大，因此更适合对成本敏感且不追求极致小型化的中低端应用。对于追求高集成度和低功耗的新一代设计，推荐转向SPI QPI等串行接口闪存方案。然而，在现有系统的维护、备件替换或旧设备升级改造项目中，TE28F008SA100仍然是一个值得信赖的选择，尤其当原始设计基于此型号时，其兼容性和稳定性优势不可忽视。

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