时间：2025/12/27 7:38:47
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UTM6006L-S08-R是一款由UTC（友顺科技）推出的N沟道增强型功率MOSFET，采用先进的沟槽栅极工艺技术制造，专为高效率、高频率的开关电源应用而设计。该器件封装在SOP-8（小外形封装）中，并带有裸露焊盘以提高散热性能，适用于空间受限但需要良好热管理的场合。UTM6006L-S08-R具有低导通电阻（RDS(on)）、高输入阻抗和快速开关响应等优点，能够显著降低系统功耗并提升整体能效。其主要目标市场包括消费类电子产品、电源适配器、LED照明驱动、DC-DC转换器以及各类便携式设备中的电源管理模块。该MOSFET具备良好的雪崩能量耐受能力和抗瞬态电压冲击能力，增强了系统在异常工况下的可靠性。此外，产品符合RoHS环保要求，支持无铅回流焊接工艺，适合自动化贴片生产流程。UTM6006L-S08-R通过优化的芯片结构设计，在保持高性能的同时实现了成本控制，是中小功率电源系统中理想的开关元件选择之一。
型号：UTM6006L-S08-R
类型：N沟道MOSFET
封装：SOP-8（带裸露焊盘）
漏源电压VDS：60V
栅源电压VGS：±20V
连续漏极电流ID（@25℃）：12A
脉冲漏极电流IDM：48A
导通电阻RDS(on)（max @ VGS=10V）：6.8mΩ
导通电阻RDS(on)（max @ VGS=4.5V）：9.5mΩ
阈值电压VGS(th)：1.0V ~ 2.5V
输入电容Ciss：2300pF（@VDS=30V）
输出电容Coss：720pF（@VDS=30V）
反向传输电容Crss：130pF（@VDS=30V）
栅极电荷Qg（@VGS=10V）：35nC
工作结温范围Tj：-55℃ ~ +150℃
存储温度范围Tstg：-55℃ ~ +150℃
热阻RθJA：50℃/W（典型值）
热阻RθJC：3.5℃/W（典型值）
UTM6006L-S08-R采用了先进的沟槽栅极技术和场板结构设计，有效降低了单位面积上的导通电阻，从而实现了极低的RDS(on)值，这不仅减少了导通状态下的功率损耗，还提升了系统的整体能效表现。该器件在VGS=10V时的最大导通电阻仅为6.8mΩ，在VGS=4.5V条件下也仅为9.5mΩ，表明其在低电压驱动环境下仍能保持优异的导通性能，非常适合用于同步整流或由逻辑电平信号直接驱动的应用场景。
其栅极电荷Qg为35nC，属于较低水平，有助于减少驱动电路的能量消耗，并加快开关速度，从而降低开关过程中的动态损耗，特别适用于高频工作的DC-DC变换器拓扑结构如Buck、Boost和Flyback等。
输入电容Ciss为2300pF，输出电容Coss为720pF，反向传输电容Crss为130pF，这些电容参数经过优化，在保证足够驱动能力的同时抑制了米勒效应带来的误导通风险，提高了在高dv/dt环境下的运行稳定性。
该MOSFET具备较高的电流承载能力，连续漏极电流可达12A（在25℃下），脉冲电流高达48A，能够在瞬态负载变化中提供可靠的电流输出能力。同时，器件具有宽泛的工作结温范围（-55℃至+150℃），确保在高温或低温环境下依然稳定工作。
SOP-8封装形式集成裸露焊盘，可通过PCB接地实现高效散热，显著改善热传导路径，降低热阻RθJA至约50℃/W，RθJC仅为3.5℃/W，有利于长时间满负荷运行时的温度控制。此外，器件具备良好的抗雪崩能力和ESD防护特性，增强了在恶劣电气环境中的鲁棒性。
UTM6006L-S08-R广泛应用于多种中低功率电力电子系统中，尤其适合对效率和尺寸有较高要求的设计场景。常见应用包括开关模式电源（SMPS），例如手机充电器、笔记本电脑适配器、USB PD电源模块等，作为主开关管或同步整流管使用，可有效提升转换效率并减少发热。
在DC-DC降压（Buck）或升压（Boost）转换器中，该器件凭借其低RDS(on)和快速开关特性，能够实现高频率操作下的低损耗能量转换，适用于工业控制电源、车载电子系统及FPGA、CPU供电模块等点负载供电方案。
此外，它也被广泛用于LED恒流驱动电路中，作为PWM调光开关或电流调节元件，提供精确且高效的光源控制。
在电机驱动领域，UTM6006L-S08-R可用于小型直流电机或步进电机的H桥驱动电路中，实现正反转与调速功能，适用于家电、无人机电调、电动工具等设备。
由于其SOP-8封装体积小巧，易于自动化贴装，因此在便携式消费类电子产品如移动电源、无线耳机充电仓、智能手表等产品中也得到广泛应用。同时，该器件还可用于电池保护电路、热插拔控制器、负载开关和过流保护模块中，发挥其快速响应和低导通损耗的优势。
UTM6006L,SY6280ADB,CMT6006A,DMG6006U,UWT6006L
