IRG7PH42UD 时间：2025/12/26 19:46:52 阅读：10

IRG7PH42UD是一款由Infineon Technologies（英飞凌）推出的高性能IGBT（绝缘栅双极型晶体管）功率半导体器件，专为高效率、高频率的开关应用而设计。该器件采用先进的TrenchStop? 5技术，结合了低导通损耗与优化的开关特性，适用于需要高效能和高可靠性的电力电子系统。IRG7PH42UD特别适合用于工业电机驱动、可再生能源逆变器、不间断电源（UPS）、感应加热以及各类DC-AC转换设备中。其封装形式为TO-247-3，具备良好的热性能和电气隔离能力，便于在高功率密度设计中进行散热管理。该IGBT额定电压为1200V，能够承受较高的母线电压波动，同时提供出色的短路耐受能力和温度稳定性。器件内部结构经过优化，降低了拖尾电流，从而减少关断过程中的能量损耗，提升整体系统效率。此外，IRG7PH42UD具有正温度系数的饱和压降特性，有利于并联使用时的电流均衡分配，提高系统的可扩展性与可靠性。该产品符合RoHS环保标准，并通过了严格的工业级认证，适用于严苛的工作环境。

参数

型号：IRG7PH42UD
　　制造商：Infineon Technologies
　　器件类型：IGBT
　　集电极-发射极击穿电压（BVCES）：1200 V
　　集电极电流（IC, continuous）：7 A
　　集电极峰值电流（ICM）：14 A
　　栅极-发射极电压（VGES）：±20 V
　　工作结温范围（Tj）：-40 °C 至 +150 °C
　　存储温度范围（Tstg）：-40 °C 至 +150 °C
　　最大功耗（Ptot）：125 W
　　导通延迟时间（td(on)）：约 30 ns
　　上升时间（tr）：约 60 ns
　　关断延迟时间（td(off)）：约 100 ns
　　下降时间（tf）：约 50 ns
　　输入电容（Cies）：约 1200 pF
　　输出电容（Coes）：约 200 pF
　　反向恢复时间（trr）：约 25 ns
　　反向恢复电荷（Qrr）：约 15 nC
　　阈值电压（VGE(th)）：约 5.5 V
　　导通压降（VCE(sat) @ IC=7A, VGE=15V）：约 2.1 V

特性

IRG7PH42UD基于英飞凌第五代TrenchStop? IGBT工艺，显著提升了器件的开关性能与导通效率。其核心优势在于实现了导通压降与开关损耗之间的最佳平衡，尤其在硬开关拓扑如全桥或半桥逆变器中表现出色。该器件具有较低的拖尾电流，在高频开关条件下有效减少了关断损耗，从而允许系统在更高频率下运行而不牺牲效率。其正温度系数的VCE(sat)使得多个IGBT并联使用时能够自然实现电流均衡，避免局部过热问题，提高了系统冗余性和可靠性。
　　该IGBT的栅极结构经过优化，具备良好的抗噪声干扰能力，能够在高dV/dt环境下稳定工作。同时，其内置的快速体二极管具有较低的反向恢复电荷和软恢复特性，有助于降低电磁干扰（EMI），并减少对吸收电路的依赖，简化外围设计。TO-247-3封装提供了优良的热传导路径，支持通过散热片有效导出热量，确保长期运行的热稳定性。此外，该器件通过了严格的质量测试，包括高温反偏（HTRB）、高温栅极偏置（HTGB）等，保证了在工业级应用中的长期可靠性。其宽泛的工作结温范围使其适用于极端环境下的电力转换系统。

应用

IRG7PH42UD广泛应用于多种中等功率等级的电力电子系统中。典型应用场景包括工业用交流伺服驱动器和变频器，其中它作为主逆变桥的核心开关元件，负责将直流母线电压转换为三相交流输出以驱动电机。在太阳能光伏逆变器中，该器件可用于DC-AC升压转换级，实现高效的能量回馈电网功能。此外，它也适用于不间断电源（UPS）系统，尤其是在后备式或在线式UPS的逆变模块中，确保市电中断时仍能提供稳定的交流输出。感应加热设备如电磁炉、金属熔炼装置等利用其高频开关能力实现高效的能量耦合。其他应用还包括焊接电源、电动车辆充电器、DC-DC转换器中的有源钳位电路以及各类开关模式电源（SMPS）拓扑。由于其具备良好的动态性能和热稳定性，IRG7PH42UD特别适合那些要求长时间连续运行且维护周期长的工业设备。