型号：UTG25N120
　　封装：TO-247
　　类型：N沟道MOSFET
　　漏源电压(VDS)：1200V
　　连续漏极电流(ID)：25A @ 25°C
　　脉冲漏极电流(IDM)：100A
　　栅源电压(VGS)：±30V
　　导通电阻(RDS(on))：典型值380mΩ @ VGS=15V
　　阈值电压(VGS(th))：3~5V
　　输入电容(Ciss)：约4000pF @ VDS=25V
　　输出电容(Coss)：约150pF
　　反向恢复时间(trr)：≤75ns
　　工作结温(Tj)：-55°C ~ +150°C
　　热阻结到壳(Rth(j-c))：约0.6℃/W

UTG25N120的核心优势之一是其高达1200V的漏源击穿电压，使其非常适合用于工业级高压电源系统，例如太阳能逆变器、不间断电源(UPS)和感应加热设备。在此类应用中，器件必须承受瞬态过压和长期高电压应力，而UTG25N120通过优化的漂移区设计和终端结构，实现了卓越的电压阻断能力和长期可靠性。其低导通电阻（RDS(on)）减少了导通状态下的功率损耗，从而降低了温升，提升了系统效率。此外，该MOSFET在高温下仍能保持稳定的电气性能，确保在恶劣环境下的持续运行。
　　该器件具备出色的开关特性，输入电容和反馈电容经过优化，在高频开关应用中表现出较低的驱动损耗和更快的响应速度。这对于提高DC-DC转换器或全桥逆变器的工作频率至关重要，有助于减小磁性元件体积，实现系统小型化。同时，UTG25N120的栅极电荷（Qg）较低，意味着驱动电路所需的能量更少，进一步提高了系统的能效比。其反向恢复特性也经过优化，体二极管的反向恢复时间短且软度较好，有助于减少开关过程中的电压尖峰和电磁干扰（EMI），提升系统电磁兼容性。
　　热性能方面，TO-247封装提供了良好的热传导路径，使芯片产生的热量能够快速传递至散热器，避免局部过热导致的性能下降或失效。该器件还具备一定的雪崩耐量，能够在非钳位电感开关（UIS）条件下承受一定能量的电压冲击，增强了系统在异常工况下的鲁棒性。此外，UTG25N120符合RoHS环保标准，适用于现代绿色电子产品设计。其高可靠性和一致性使其成为工业、能源和电力电子领域中值得信赖的功率开关元件。

UTG25N120主要应用于高电压、高效率的电力电子系统中。常见使用场景包括太阳能光伏逆变器中的直流斩波与逆变桥臂，作为核心开关器件实现高效的能量转换。在不间断电源（UPS）系统中，它可用于DC-AC逆变级，承担大电流高频切换任务，确保输出交流电的稳定性和纯净度。此外，在电动汽车充电设备、工业电机驱动器以及感应加热电源中，该MOSFET因其高耐压和强载流能力而被广泛采用。
　　在开关模式电源（SMPS）尤其是高压大功率电源模块中，UTG25N120常用于有源钳位正激、LLC谐振变换器或双管正激拓扑结构中，发挥其低导通损耗和良好开关特性的优势。由于其具备较强的抗电压冲击能力，也可用于需要频繁启停或负载突变的控制系统中，如电焊机电源、高压电源发生器等设备。在智能电网相关设备中，如静态无功补偿装置（SVC）或固态断路器，该器件也能胜任快速开关和高可靠性要求的任务。
　　此外，UTG25N120还可用于各类工业自动化设备中的功率控制模块，例如PLC输出驱动、电磁阀控制或大功率LED驱动电源。其稳定的性能和宽泛的工作温度范围使其适应复杂多变的工业环境。在科研实验装置或测试仪器中，该MOSFET也常作为高压脉冲发生器或功率放大电路的关键组件，满足对精确时序控制和高能量输出的需求。

FGL25N120AND
　　STGF25NC120D
　　IXFN25N120P