时间：2025/5/8 13:46:39
阅读：70
PMN34LN是一款高性能的N沟道增强型MOSFET功率晶体管。该器件采用了先进的制造工艺，具有低导通电阻、高开关速度和出色的热性能，适用于各种电源管理应用。
这款MOSFET通常用于直流-直流转换器、负载开关、电机驱动以及电池保护电路等场景。其小型化的封装设计使其非常适合空间受限的应用场合。
最大漏源电压：30V
最大栅源电压：±20V
连续漏极电流：4.8A
导通电阻（Rds(on)）：7mΩ（典型值，在Vgs=10V时）
栅极电荷：16nC（典型值）
开关时间：ton=12ns，toff=9ns（典型值）
工作结温范围：-55℃至175℃
PMN34LN具有以下主要特性：
1. 极低的导通电阻（Rds(on)），可显著降低传导损耗并提高效率。
2. 快速开关能力，有助于减少开关损耗并支持高频操作。
3. 高雪崩能力和坚固的短路耐量，增强了器件的可靠性。
4. 小型化DFN3*3封装，节省PCB空间。
5. 符合RoHS标准，绿色环保。
6. 良好的热性能，确保在高功率密度下的稳定运行。
PMN34LN广泛应用于多种电子领域：
1. 开关电源（SMPS）中的同步整流和降压/升压转换。
2. 消费类电子产品中的负载开关和过流保护。
3. 便携式设备的电池管理与保护。
4. 小型电机驱动及控制电路。
5. 工业自动化系统中的信号切换和功率传输。
PMN44LNE, IRF7407, AO3400
