时间：2025/8/7 15:40:10
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TFS760HG是一款由东芝（Toshiba）推出的功率MOSFET器件，专为高效率和高可靠性应用设计。该器件采用了先进的沟槽栅极技术，提供优异的导通性能和较低的开关损耗，适用于多种工业和消费类电子设备。
类型：N沟道MOSFET
最大漏极电流（ID）：60A
最大漏源电压（VDS）：30V
导通电阻（RDS(on)）：1.75mΩ（典型值）
栅极电荷（Qg）：95nC
工作温度范围：-55°C至175°C
TFS760HG具有优异的导通性能，其低导通电阻确保在高电流应用中能够最大限度减少能量损耗。该器件采用了先进的沟槽栅极结构，优化了电流分布并降低了热阻，从而提高了整体的热稳定性和可靠性。
此外，TFS760HG具备高栅极电荷稳定性，能够在高频开关应用中保持较低的开关损耗，适用于电源转换和电机控制等高频率操作场景。其宽泛的工作温度范围使其能够在严苛的环境条件下稳定运行，例如高温或低温环境。
TFS760HG广泛应用于多种电力电子系统，包括但不限于电源转换器、DC-DC转换器、电机驱动器、电池管理系统和工业自动化设备。其高效率和高可靠性的特点使其成为高功率密度应用的理想选择，尤其是在需要频繁开关操作的场合。
TKA760H,HGTG20N30D
