容量：256K x 16位
　　电压：3.3V
　　访问时间：60ns
　　封装类型：TSOP
　　工作温度范围：工业级（-40°C 至 +85°C）
　　数据保持电压：2.0V 至 3.6V
　　输入/输出电平：TTL兼容
　　功耗：典型值为200mA（待机模式下为10mA）

GM71C4263CT-60 SRAM芯片具有多个显著的特性，使其适用于各种高性能存储应用。
　　首先，该芯片采用高速CMOS工艺制造，具有60ns的访问时间，这使其能够满足高速数据处理的需求。其高速读写能力使得它非常适合用于缓存、缓冲存储器以及实时数据处理系统中。
　　其次，该芯片支持低功耗操作模式。在待机模式下，功耗可以降低至10mA，这使得它非常适合用于需要节能设计的嵌入式系统和便携式设备中。此外，其工作电压为3.3V，符合现代低功耗电子系统的设计标准。
　　再者，该芯片具备TTL兼容的输入/输出电平，这使得它可以轻松地与其他数字电路进行接口，提高了其在系统集成中的灵活性。
　　此外，GM71C4263CT-60支持数据保持功能，在供电电压下降至2.0V时仍能保持存储数据不丢失，从而确保了数据的可靠性。这对于需要在断电情况下保持关键数据的应用场景非常有用，例如工业控制系统或数据记录设备。
　　最后，该芯片采用TSOP封装，适用于表面贴装工艺，有助于提高电路板的空间利用率和可靠性。

GM71C4263CT-60广泛应用于需要高速存储和低功耗特性的场景。例如，在网络设备中，它可以作为高速缓存来存储临时数据和转发信息，从而提高数据传输效率。在通信设备中，该芯片可用于缓冲语音和视频数据，确保实时传输的稳定性。
　　此外，该芯片也常用于工业控制系统，如PLC（可编程逻辑控制器）和自动化设备中，作为临时数据存储器，用于保存传感器数据和控制参数。其数据保持功能在断电情况下能够确保关键数据不丢失，提高了系统的可靠性。
　　在嵌入式系统中，该芯片可用于高性能微控制器或FPGA（现场可编程门阵列）的外部存储扩展，提升系统的处理能力和响应速度。由于其低功耗特性，它也非常适合用于便携式设备，如手持终端、智能卡读写器和无线传感器节点等。
　　最后，该芯片还可用于测试和测量设备中，作为高速数据采集和存储的临时缓存，帮助提高测试精度和数据分析效率。

IS61LV25616-60BLL、CY62148EVLL-60B、IDT71V424S60PFG、AS7C25616C-60BC