您好,欢迎来到维库电子市场网 登录 | 免费注册

您所在的位置:电子元器件采购网 > IC百科 > SKN650F08

SKN650F08 发布时间 时间:2025/8/22 18:46:41 查看 阅读:5

SKN650F08 是一款由东芝(Toshiba)公司推出的高功率双极晶体管(BJT),属于硅NPN型晶体管。该器件专为高电压、高电流应用设计,广泛应用于工业电源、电机驱动、焊接设备、逆变器以及各种电力电子变换装置中。SKN650F08具备较高的电流承载能力和耐压性能,适用于需要稳定性和高可靠性的高功率场合。

参数

类型:NPN型双极晶体管
  最大集电极电流(IC):650A
  集电极-发射极击穿电压(VCEO):800V
  集电极-基极击穿电压(VCBO):1400V
  发射极-基极击穿电压(VEBO):30V
  最大功耗(Ptot):4000W
  工作温度范围:-55°C ~ +150°C
  封装形式:平面型(Flat Base Type)
  增益(hFE):典型值为12~40(在IC=325A时)
  饱和压降(VCEsat):典型值为2.0V(在IC=650A时)

特性

SKN650F08具有优异的电气性能和热稳定性,其主要特点包括高耐压能力和强大的电流承载能力。该晶体管的集电极-发射极击穿电压(VCEO)为800V,集电极-基极击穿电压(VCBO)高达1400V,使其能够适应高电压环境下的工作需求。同时,最大集电极电流可达650A,适合高功率输出应用。
  该器件采用平面型封装,具备良好的散热性能,有助于在高负载条件下保持较低的工作温度,从而提高器件的稳定性和寿命。此外,SKN650F08的饱和压降较低,典型值为2.0V,在高电流工作时能够有效减少功率损耗,提高系统效率。
  该晶体管还具备较高的热阻性能,能够在极端工作条件下保持良好的热稳定性。其工作温度范围为-55°C至+150°C,适用于各种严苛的工业环境。此外,SKN650F08的增益(hFE)在IC=325A时为12~40,具有良好的放大能力,适用于需要高增益放大的功率电路中。

应用

SKN650F08 主要用于高功率、高电压的电力电子系统中,如工业电源、电机驱动器、焊接设备、不间断电源(UPS)、电镀电源以及各种逆变器系统。由于其高电流承载能力和良好的热稳定性,它在需要大功率输出的工业控制设备中也得到了广泛应用。
  在电机驱动领域,SKN650F08可用于直流电机或交流变频器中的功率开关器件,实现高效的电机控制。在焊接设备中,该晶体管可用于高频逆变焊机的功率转换部分,提供稳定可靠的高电流输出。
  在电源系统中,SKN650F08可用于高功率开关电源的主功率开关,实现高效率的能量转换。此外,在UPS系统中,该器件可用于逆变器部分,将直流电能转换为稳定的交流输出,确保关键设备在停电时的持续运行。
  由于其高耐压和高电流能力,该晶体管还可用于电镀电源、电解电源等需要大电流输出的工业设备中,提供稳定可靠的功率输出。

替代型号

SKN700F08, SKN600F08, 2SC5255, 2SC5256

SKN650F08推荐供应商 更多>

  • 产品型号
  • 供应商
  • 数量
  • 厂商
  • 封装/批号
  • 询价