时间：2025/12/27 7:23:32
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UTD436L-TN3-R是一款由UnitedSiC（现归属于Qorvo）生产的N沟道、碳化硅（SiC）场效应晶体管（FET），专为高效率、高频电力电子应用设计。该器件结合了碳化硅材料的优异物理特性与先进的芯片封装技术，能够在高温、高压和高开关频率环境下稳定运行。UTD436L-TN3-R属于UnitedSiC第四代UJ3C系列SiC FET产品线，采用共源共栅结构，内部将一个高性能的碳化硅JFET与一个标准硅MOSFET级联封装，从而实现与标准硅MOSFET驱动兼容的驱动方式，极大简化了在现有电源系统中的替换和集成过程。该器件具有低导通电阻、低开关损耗和出色的热稳定性，适用于诸如服务器电源、太阳能逆变器、电动汽车充电系统、工业电机驱动和高密度DC-DC转换器等对效率和功率密度要求严苛的应用场景。其表面贴装TO-258 AA（或称SMD-2L）封装形式有助于提高PCB布局灵活性并改善热管理性能，同时支持自动化生产装配。
型号：UTD436L-TN3-R
类型：N沟道碳化硅FET（共源共栅结构）
额定电压（VDS）：650V
连续漏极电流（ID @ 25°C）：36A
脉冲漏极电流（IDM）：144A
导通电阻（RDS(on) @ 25°C）：65mΩ
导通电阻（RDS(on) @ 175°C）：95mΩ
栅极阈值电压（VGS(th)）：约3.4V
最大栅源电压（VGS max）：+20V / -10V
输入电容（Ciss）：约3430pF
输出电容（Coss）：约460pF
反向恢复电荷（Qrr）：典型值小于1μC
最大工作结温（Tj max）：175°C
封装形式：TO-258 AA（SMD-2L）
安装方式：表面贴装
极性：N沟道
UTD436L-TN3-R的核心优势在于其采用的碳化硅材料所带来的卓越电气性能。相较于传统的硅基MOSFET，碳化硅具有更高的击穿电场强度、更高的热导率和更宽的禁带宽度，使得该器件能够在更高的电压下工作，同时保持较低的导通和开关损耗。其共源共栅结构设计巧妙地解决了SiC JFET直接驱动困难的问题，通过级联一个低成本的硅MOSFET，实现了与标准栅极驱动器的完全兼容，用户无需更改现有驱动电路即可完成升级。这种设计不仅保留了SiC器件的高效特性，还大大降低了系统设计的复杂度和开发周期。该器件具备极低的反向恢复电荷（Qrr），显著减少了在硬开关或桥式拓扑中因体二极管反向恢复引起的能量损耗和电磁干扰，从而提升了整体系统效率并允许更高的开关频率运行，有助于减小磁性元件和电容的体积，实现更高功率密度的设计。
此外，UTD436L-TN3-R具有优异的高温工作能力，其最大结温可达175°C，能够在恶劣的热环境下长期可靠运行，减少了对复杂散热系统的依赖。其导通电阻随温度变化的系数相对平缓，在高温工况下仍能保持较低的导通损耗，确保系统在全负载和全温度范围内的高效运行。器件的低输出电容（Coss）和输入电容（Ciss）进一步降低了开关过程中的容性损耗，尤其是在高频应用中表现突出。TO-258 AA表面贴装封装不仅提高了PCB组装的自动化程度，还优化了热传导路径，增强了器件的散热能力。该封装形式相比传统通孔器件更适用于紧凑型电源设计，并有助于提升系统的机械可靠性。总体而言，UTD436L-TN3-R凭借其高效率、高可靠性、高功率密度和易于集成的特点，成为现代绿色能源和高效电源系统中的理想选择。
UTD436L-TN3-R广泛应用于各类需要高效率和高功率密度的电力转换系统中。在数据中心和电信基础设施领域，它被用于服务器电源（如48V转12V中间母线转换器）、高密度AC-DC电源模块以及不间断电源（UPS）系统，帮助提升能效并降低运营成本。在可再生能源方面，该器件适用于光伏（PV）太阳能逆变器中的DC-AC转换级，利用其低开关损耗特性实现高转换效率，最大化太阳能利用率。在电动汽车生态系统中，UTD436L-TN3-R可用于车载充电机（OBC）、直流快充桩的PFC（功率因数校正）级和DC-DC转换器，支持高功率等级和快速充电需求。此外，在工业电源和电机驱动应用中，如工业SMPS（开关电源）、焊接设备、感应加热系统和高端UPS，该器件能够承受严苛的工作条件并提供稳定的性能。其高频工作能力也使其适用于高频率LLC谐振转换器、图腾柱PFC拓扑等先进电路架构，满足未来电源系统向小型化、智能化和高效化发展的趋势。
UTD436K-TN3-R
UJC06505K-T1S
CCS050M65D
