类型：静态随机存取存储器（SRAM）
　　容量：128K x 8（1Mbit）
　　电源电压：3.3V 或 5V 可选
　　访问时间：10ns（最大）
　　封装类型：TSOP（薄型小外形封装）
　　工作温度范围：工业级（-40°C 至 +85°C）
　　数据保持电压：最小1.5V（用于数据保持模式）
　　封装引脚数：54
　　接口类型：并行接口
　　读写控制信号：CE#（芯片使能），OE#（输出使能），WE#（写使能）
　　地址线：A0–A16（17位地址总线）
　　数据线：I/O0–I/O7（8位数据总线）

CXK581100TM-10L具有多项显著特性，使其适用于高性能存储应用。首先，该芯片提供10ns的高速访问时间，能够满足对实时数据处理要求较高的系统需求。其异步操作模式允许通过简单的控制信号进行读写操作，减少了系统设计的复杂性。
　　在电源管理方面，CXK581100TM-10L支持3.3V或5V供电，具有宽泛的电压适应性，并在待机模式下保持极低的功耗，有助于延长电池供电设备的使用寿命。此外，其数据保持电压低至1.5V，能够在系统断电或低电压状态下保持存储数据不丢失，提高了系统的可靠性和稳定性。
　　该芯片采用54引脚TSOP封装，具有较小的封装体积和较高的集成度，便于在空间受限的PCB设计中使用。同时，其工作温度范围覆盖工业级标准（-40°C 至 +85°C），确保在各种恶劣环境条件下仍能稳定运行。
　　功能方面，CXK581100TM-10L具备高性能CMOS技术，确保高速操作的同时降低功耗和噪声。其并行接口支持快速的数据传输速率，适用于需要大量数据缓存的应用场景，如图像处理、工业控制和数据采集系统。

CXK581100TM-10L广泛应用于需要高速数据存储和快速访问的嵌入式系统和工业电子设备。例如，在工业控制系统中，它可以作为临时数据缓存或程序存储器，提高系统的响应速度和运行效率。在通信设备中，该芯片可用于数据包缓存和协议处理，确保数据传输的稳定性和实时性。
　　此外，CXK581100TM-10L也适用于测试测量仪器、自动化设备、消费电子产品以及汽车电子系统等。其低功耗特性和宽电压支持使其在电池供电设备中表现出色，如便携式仪表、手持式数据采集器等。由于其具备工业级温度范围，因此也适用于户外设备和极端环境下的控制系统。

CYK581100TM-10S, CYK581100T-10S, CYK581100TM-10Z, IS61LV10248ALLB4A10BLI, CY62148E