类型：SiC 肖特基二极管
　　最大重复反向电压（VRRM）：650 V
　　平均正向整流电流（IF(AV)）：1.5 A
　　峰值非重复浪涌电流（IFSM）：40 A
　　正向电压（VF @ 1.5A, TJ=25°C）：1.7 V 典型值
　　反向漏电流（IR @ 650V, TJ=25°C）：5 μA 典型值
　　结温范围（TJ）：-55°C 至 +175°C
　　封装类型：DFN-8L（双扁平无引脚）
　　是否符合RoHS：是
　　是否无卤素：是
　　热阻结至外壳（RθJC）：约 25 K/W

UTD351G-AE2-R的核心特性源于其基于碳化硅（SiC）半导体材料的物理优势，使其在高频、高温和高效率应用场景中远超传统硅基PIN二极管。首先，该器件具有近乎理想的开关行为，表现为零反向恢复电荷（Qrr ≈ 0）和极短的反向恢复时间（trr）。这一特性意味着在开关电源电路中，尤其是在硬开关拓扑如PFC（功率因数校正）、LLC谐振转换器或图腾柱PFC中，UTD351G-AE2-R不会产生由反向恢复引起的额外开关损耗和EMI噪声。这不仅提升了系统的整体能效，还简化了EMI滤波设计，降低了系统成本。
　　其次，UTD351G-AE2-R在宽温度范围内保持稳定的电气性能。其正向压降（VF）随温度变化较小，且在高温下反向漏电流仍保持较低水平，确保了在高环境温度或高负载条件下依然可靠运行。该器件最高结温可达+175°C，远高于传统硅器件的+150°C限制，因此在不增加额外散热措施的情况下可承受更高的功率密度。这对于空间受限或自然冷却的应用尤为重要。
　　第三，DFN-8L封装提供了优异的热传导性能和低寄生电感，有助于提高高频工作的稳定性。该封装支持回流焊工艺，适用于大规模自动化生产，同时其小型化尺寸有利于实现更高密度的PCB布局。此外，UTD351G-AE2-R具备良好的抗浪涌能力，可承受高达40A的非重复浪涌电流，增强了系统在瞬态过载或启动冲击下的鲁棒性。
　　最后，作为UnitedSiC/Qorvo产品线的一员，UTD351G-AE2-R经过严格的质量控制和可靠性测试，符合AEC-Q101标准（适用于汽车级应用），具备高长期稳定性与耐用性。这些综合特性使该器件成为下一代高效能、高可靠性电源系统的关键元件之一。

UTD351G-AE2-R广泛应用于对效率、功率密度和可靠性要求较高的现代电力电子系统中。在工业电源领域，它常用于有源钳位反激、LLC谐振转换器和全桥移相ZVS拓扑中作为输出整流二极管或辅助电源整流器件，利用其零反向恢复特性显著降低开关损耗并提升转换效率。在通信电源和服务器PSU中，该器件被用于PFC级的升压二极管，帮助实现98%以上的系统能效目标，满足80 PLUS钛金等严苛能效标准。
　　在可再生能源系统中，UTD351G-AE2-R适用于光伏微型逆变器和组串式逆变器的直流侧旁路或能量回收路径，其高温稳定性和低导通损耗有助于提升发电效率并延长设备寿命。在电动汽车相关应用中，该器件可用于车载充电机（OBC）和直流快充模块的次级整流环节，支持高频率软开关操作，减小磁性元件体积并提升功率密度。
　　此外，在UPS不间断电源、工业电机驱动和高密度DC-DC电源模块中，UTD351G-AE2-R也发挥着重要作用。其DFN-8L封装便于实现紧凑型设计，特别适合追求小型化和轻量化的高端电源产品。由于其出色的EMI表现和热稳定性，该器件还能有效减少外围保护电路的设计复杂度，从而降低整体BOM成本并提高系统可靠性。总之，凡是需要高效、高频、高温运行的电力转换场景，UTD351G-AE2-R都是极具竞争力的解决方案。

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