FFPF15U20DNTU 是一款基于超结技术(Super Junction Technology)的 N 沟道功率 MOSFET。该器件由 Fairchild(现为 ON Semiconductor)生产,主要应用于高效率开关电源、DC-DC 转换器、电机驱动以及负载开关等领域。其设计旨在提供低导通电阻和快速开关性能,从而减少功耗并提高系统效率。
最大漏源电压:650V
持续漏极电流:15A
导通电阻:0.38Ω
栅极电荷:37nC
总电容:1190pF
开关速度:快速
封装形式:TO-247
FFPF15U20DNTU 的核心特性包括:
1. 采用先进的超结技术,显著降低了导通电阻 (Rds(on)),从而减少了传导损耗。
2. 快速开关能力,能够支持高频应用,减少开关损耗。
3. 高击穿电压(650V),适用于多种高压场景。
4. 封装散热性能良好,适合高功率密度设计。
5. 符合 RoHS 标准,环保且满足国际法规要求。
6. 稳定性和可靠性高,能够在严苛环境下长时间工作。
该型号广泛用于以下领域:
1. 开关模式电源 (SMPS),如适配器、充电器等。
2. 工业电机驱动与控制。
3. DC-DC 转换器中的功率开关。
4. 太阳能逆变器和其他可再生能源相关设备。
5. 各种需要高效功率管理的电子系统。
FFPF15N65SMD, FFPF15N65DTU, STP15NK65M5