时间：2025/6/20 14:21:01
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SI4228DY 是一款由 Vishay 提供的 N 沟道增强型 MOSFET 功率晶体管。该器件采用 TrenchFET Gen IV 技术，能够提供卓越的导通电阻性能和低开关损耗，非常适合高频开关应用。
该型号特别适用于需要高效能功率转换的场合，例如 DC-DC 转换器、负载开关、电机驱动以及电池保护等场景。
最大漏源电压：30V
连续漏极电流：15A
导通电阻（典型值）：1.3mΩ
栅极电荷：17nC
输入电容：1960pF
工作结温范围：-55℃ 至 +175℃
封装形式：PowerPAK SO-8
SI4228DY 的设计采用了第四代 TrenchFET 技术，确保其具备非常低的导通电阻 (Rds(on))，从而显著降低传导损耗。
其超低的 Qg 和 Eoss 参数使其成为高频应用的理想选择，同时支持高效的功率转换。该器件还具有出色的热性能，能够在高电流密度下稳定运行。
由于其紧凑的 PowerPAK SO-8 封装，这款 MOSFET 可以在有限的空间内提供高性能表现。此外，其坚固的结构和高达 175°C 的工作温度范围也提升了系统的可靠性和耐久性。
SI4228DY 广泛应用于各种功率管理领域，包括但不限于：
- 开关模式电源 (SMPS) 中的同步整流功能
- DC-DC 转换器中的高端或低端开关
- 笔记本电脑及平板电脑中的负载开关
- 工业电机控制与驱动电路
- 多种电池保护系统
- 汽车电子系统中的功率级控制
SI4455DY, SI4217DY, BSC014N06NS
