类型：肖特基二极管阵列
　　配置：双共阴极
　　最大重复峰值反向电压（VRRM）：100V
　　最大直流阻断电压（VR）：100V
　　平均整流电流（Io）：200mA（每元件）
　　峰值浪涌电流（IFSM）：0.5A
　　正向压降（VF）：典型值0.45V @ 10mA，最大值0.6V @ 10mA
　　反向漏电流（IR）：最大值10μA @ 100V
　　反向恢复时间（trr）：< 5ns
　　工作结温范围（Tj）：-55°C 至 +125°C
　　存储温度范围（Tstg）：-55°C 至 +150°C
　　封装：SOT-23

PD3308MT102的核心优势在于其优异的电气性能与紧凑的封装设计相结合，使其成为便携式电子设备和高密度PCB布局中的理想选择。其采用先进的肖特基势垒技术，利用金属-半导体结代替传统的PN结，从而显著降低了正向导通压降（VF）。在10mA的工作电流下，典型VF仅为0.45V，远低于普通硅二极管的0.7V以上水平。这一特性直接减少了导通状态下的功率损耗（Ploss = VF × IF），对于电池供电设备而言，意味着更长的续航时间和更高的能源利用率。此外，低VF还能减轻散热压力，简化热管理设计。
　　该器件具备极快的开关速度，反向恢复时间（trr）小于5纳秒，几乎不存在电荷存储效应。这使得PD3308MT102非常适合用于高频开关电路，如高达数百kHz甚至MHz级别的DC-DC升压或降压转换器中作为输出整流或续流二极管。在这些应用中，传统快恢复二极管因较长的trr会导致较大的反向恢复损耗，并可能引起电压尖峰和电磁干扰（EMI）。而PD3308MT102的超快恢复特性有效抑制了这些问题，提升了系统效率和电磁兼容性。同时，其最大反向电压达到100V，能够满足多数低压至中压电源系统的绝缘要求。
　　SOT-23封装不仅体积小巧（典型尺寸约2.9mm x 1.3mm x 1.1mm），还支持自动化贴片生产，适合大规模制造。该封装具有良好的热传导性能和机械稳定性，能够在-55°C至+125°C的宽温度范围内可靠工作，适应严苛的工业环境。器件通过了无铅认证，符合现代绿色电子制造的趋势。总体而言，PD3308MT102凭借其低功耗、高速度、小尺寸和高可靠性，成为消费类电子、通信模块、LED驱动、笔记本电脑电源管理单元等领域中不可或缺的基础元器件。

PD3308MT102主要应用于需要高效、高频整流的小功率电源系统中。常见用途包括：便携式电子设备中的DC-DC转换器整流元件；开关电源（SMPS）中的次级侧整流或钳位电路；太阳能充电控制器中的防反接与续流功能；电池管理系统（BMS）中的电流隔离与保护；USB供电路径管理；LCD背光驱动电路；以及各类嵌入式系统的电源轨隔离与噪声抑制。由于其双共阴极结构，特别适合用于双路输出或多相供电的设计中，实现同步整流或并联使用以提升电流能力。此外，也常用于信号解调、极性保护和防止感性负载反电动势损坏敏感IC的场合，例如继电器或电机驱动电路中的续流二极管。其小型化封装使其在智能手机、平板电脑、可穿戴设备和物联网节点等空间受限的应用中尤为受欢迎。

SS12L-TP
　　MBR0520-TP
　　BAS40-04W