型号：UT90N03L-K08-5060-R
　　类型：N沟道增强型MOSFET
　　封装：SOP-8（Exposed Pad）
　　最大漏源电压（VDS）：30V
　　最大栅源电压（VGS）：±20V
　　最大连续漏极电流（ID）：9A @ 25°C
　　最大脉冲漏极电流（IDM）：36A
　　最大导通电阻（RDS(on)）：4.5mΩ @ VGS=10V
　　最大导通电阻（RDS(on)）：6mΩ @ VGS=4.5V
　　阈值电压（Vth）：1.0V ~ 2.5V
　　栅极电荷（Qg）：12nC @ VGS=10V
　　输入电容（Ciss）：450pF @ VDS=15V
　　输出电容（Coss）：180pF @ VDS=15V
　　反向恢复时间（trr）：20ns
　　工作结温范围（Tj）：-55°C ~ +150°C
　　热阻抗（RθJA）：60°C/W
　　极性：N-Channel
　　安装方式：表面贴装
　　符合RoHS：是

UT90N03L-K08-5060-R采用了先进的沟槽式场效应晶体管工艺，这种结构能够显著降低导通电阻RDS(on)，从而减少功率损耗，提高能效。其低至4.5mΩ的导通电阻在同类30V N沟道MOSFET中处于领先水平，特别适合大电流应用场景。此外，该器件具有较高的载流能力，在良好的散热条件下可支持高达9A的连续漏极电流，满足大多数中等功率系统的电流需求。
　　该MOSFET具备优良的开关特性，其栅极电荷（Qg）仅为12nC，意味着驱动所需的能量较少，降低了驱动IC的负担，同时减少了开关过程中的动态损耗。这对于高频工作的电源拓扑如同步整流Buck/Boost转换器尤为重要。输入电容（Ciss）为450pF，保证了快速响应能力，提升了系统的瞬态响应性能。
　　器件的阈值电压范围为1.0V至2.5V，兼容3.3V和5V逻辑电平控制，便于与微控制器、PWM控制器等直接接口，无需额外的电平转换电路。这不仅简化了设计复杂度，还节省了PCB空间和成本。
　　热性能方面，得益于SOP-8 EP（Exposed Pad）封装设计，芯片底部的裸露焊盘可通过PCB上的大面积铜箔进行高效散热，热阻抗RθJA典型值为60°C/W，使得在高负载工况下仍能保持较低的工作结温，增强了长期运行的可靠性。
　　此外，UT90N03L-K08-5060-R通过严格的品质管控流程生产，具备出色的抗雪崩能力和ESD防护性能，能够在瞬态过压、短路等异常情况下提供一定的耐受能力，提升了整个系统的鲁棒性。其工作结温范围宽达-55°C至+150°C，适用于工业控制、汽车电子外围电路及恶劣环境下的电子设备。

广泛应用于各类中小功率电源系统中，特别是在同步整流DC-DC转换器中作为主开关或整流开关使用，可有效提升转换效率并降低温升。常见于便携式电子设备的电池供电管理模块，如移动电源、笔记本电脑、平板电脑中的负载开关和电源路径控制。
　　在电机驱动领域，该器件可用于小型直流电机或步进电机的H桥驱动电路中，凭借其低导通电阻和快速开关特性，实现高效的电机启停与调速控制，适用于智能家居设备、电动工具、无人机电调等场景。
　　此外，UT90N03L-K08-5060-R也适用于LED驱动电源、热插拔控制器、USB充电端口的限流保护电路以及各种需要高密度功率开关的嵌入式系统。由于其表面贴装封装和小尺寸特点，非常适合高度集成化的主板设计，如通信模块、工控主板和消费类电子产品主板上的电源管理单元。
　　在电池管理系统（BMS）中，可用于充放电MOSFET控制，配合保护IC实现对锂电池组的安全充放电管理。其低RDS(on)有助于减少静态功耗，延长电池续航时间。同时，该器件也可用于逆变器、UPS不间断电源等电力电子设备中的低电压侧开关元件。

AP2303GN-HF

UT90N03L-K08-5060-R