时间：2025/7/25 16:26:40
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AP75N07GP是一款由Diodes公司生产的N沟道增强型功率MOSFET。该器件设计用于高效率、高性能的电源管理应用，如DC-DC转换器、负载开关、电池管理系统以及电机驱动器等。AP75N07GP采用了先进的沟槽技术，提供了低导通电阻（RDS(on)）和高电流处理能力，使其在高功率密度应用中表现出色。
类型：N沟道MOSFET
漏源电压（VDS）：75V
栅源电压（VGS）：±20V
漏极连续电流（ID）：160A（在25°C）
导通电阻（RDS(on)）：5.7mΩ（最大值，在VGS=10V）
工作温度范围：-55°C至175°C
封装形式：TO-252（DPAK）
功率耗散（PD）：220W
AP75N07GP具有多项优异特性，首先是其极低的导通电阻（RDS(on)），这有助于降低导通损耗，提高系统效率。该器件在VGS=10V时，RDS(on)的最大值仅为5.7mΩ，非常适合高电流应用。
其次，AP75N07GP采用先进的沟槽式MOSFET技术，增强了电流处理能力和热稳定性。其漏极连续电流能力高达160A，在高功率应用中表现出色，同时具备良好的过载和短路保护能力。
该MOSFET的封装形式为TO-252（DPAK），这是一种表面贴装封装，具有良好的散热性能和机械稳定性，适合用于高密度PCB布局。此外，AP75N07GP的工作温度范围广泛，从-55°C到175°C，确保了在各种环境条件下的可靠运行。
器件的栅极驱动电压范围为±20V，兼容标准MOSFET驱动器，方便设计工程师在各种应用中使用。同时，其高功率耗散能力（220W）使其在高负载条件下也能保持稳定运行，不易过热损坏。
AP75N07GP广泛应用于多个领域，包括但不限于以下几种主要场景：
首先，在电源管理领域，AP75N07GP常用于DC-DC转换器、同步整流器和负载开关。由于其低RDS(on)和高电流能力，非常适合用于高效率电源设计，如服务器电源、通信设备电源模块和工业电源系统。
其次，在电池管理系统中，AP75N07GP可用于电池充放电控制、电池保护电路以及电池均衡电路。其高可靠性和宽工作温度范围确保了在极端环境下的稳定运行，适用于电动工具、电动车和储能系统等应用。
此外，AP75N07GP还可用于电机驱动器和功率放大器中，作为高侧或低侧开关使用。其快速开关特性和低导通损耗使其在高性能电机控制应用中表现出色，例如机器人、自动化设备和工业机械等。
最后，在汽车电子系统中，AP75N07GP可用于车载充电器、DC-DC变换器、LED照明驱动以及车身控制模块。其高耐压和高可靠性满足了汽车电子对稳定性和耐用性的严格要求。
Si7414DP, IRF1405, FDP7414, AUIRF1405
